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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 誤觸發(fā)

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  • 　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會(huì)在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動(dòng)態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時(shí)的可靠性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；
  • 關(guān)鍵字： 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  

根據(jù)交流連續(xù)性排查電纜的單端故障

共2條 1/1 1

誤觸發(fā)介紹

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