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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 超級結(jié)

Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

  • 提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展，有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設(shè)計(jì)人員能夠用來替換多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設(shè)計(jì)流程，提高應(yīng)用的可靠性和功率
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一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢

  • 　　平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個(gè)分量之和： 　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 　　 　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
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超級結(jié)介紹

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