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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 超結(jié)

超結(jié)高壓MOSFET驅(qū)動電路及EMI設(shè)計

  • 分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)過程中由于Coss和Crss電容更強(qiáng)烈的非線性產(chǎn)生更快開關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅(qū)動參數(shù)對開關(guān)過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅(qū)動電路開關(guān)波形及開關(guān)性能的變化。最后，設(shè)計了優(yōu)化驅(qū)動電路，實現(xiàn)優(yōu)化的EMI結(jié)果，并給出了相應(yīng)驅(qū)動電路的EMI測試結(jié)果。
  • 關(guān)鍵字： 202106  超結(jié)  驅(qū)動  EMI  非線性  MOSFET  

理解MOSFET時間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

  • Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬國半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說明了在實際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電
  • 關(guān)鍵字： 輸出電容  死區(qū)時間  開關(guān)損耗  超結(jié)  201904  
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超結(jié)介紹

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