閃存存儲器 文章 進入閃存存儲器技術(shù)社區(qū)
新紀錄:日本學者研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體
- 據(jù)美國物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報道,日本東北大學的科學家們在試驗室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit,達成了鐵電存儲體的新世界紀錄,如此等級的存儲密度要比現(xiàn)有最高級的磁記錄型硬盤的存儲密度要高上7倍左右。 這種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備使用一個尖頂懸臂對鐵電體存儲材料進行讀寫操作。進行數(shù)據(jù)寫入時,向尖頂發(fā)送電脈沖,這種電脈沖可以改變對應(yīng)位置的電子極性和電子所在區(qū)域周圍一小片圓型區(qū)域內(nèi)硅基體的介電常數(shù)。進行數(shù)據(jù)讀取時,則使用尖頂來偵測附近區(qū)域介電常數(shù)的變化值來讀取數(shù)據(jù)。
- 關(guān)鍵字: 鐵電存儲體 閃存存儲器
共3條 1/1 1 |
閃存存儲器介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條閃存存儲器!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對閃存存儲器的理解,并與今后在此搜索閃存存儲器的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對閃存存儲器的理解,并與今后在此搜索閃存存儲器的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473