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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 靜態(tài)存儲器

基于W78E516B單片機的大容量靜態(tài)存儲器接口設計

  • 摘要:為解決采集系統(tǒng)中大量數(shù)據(jù)存儲及數(shù)據(jù)傳輸問題,對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中基于單片機大容量靜態(tài)存儲器的應用進行了 ...
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IBM已生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM芯片

  •   IBM周一宣布,已生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM(靜態(tài)存儲器)單元。   據(jù)國外媒體報道,SRAM芯片是半導體產(chǎn)業(yè)試驗新工藝的設備,速度更快、體積更小且技術(shù)更復雜,主要負責在數(shù)據(jù)被處理之前暫時存儲數(shù)據(jù)。   IBM認為SRAM芯片的生產(chǎn)是縮小整個微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高,并減少耗電。   IBM希望,到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機構(gòu)副總裁陳博士表示:“隨著處理器內(nèi)核數(shù)量增多,人們對微處理器中存儲器的需求也在日漸增加。為
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靜態(tài)存儲器介紹

教學計算機的內(nèi)存儲器組成與設計 (1)靜態(tài)存儲器的存儲原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)(P207) (2)教學計算機內(nèi)存儲器的組成與設計 地址總線:記為AB15~AB0,統(tǒng)一由地址寄存器AR驅(qū)動,地址寄存器AR只接收ALU輸出的信息。 控制總線:控制總線的信號由譯碼器74LS139給出,功能是指出總線周期的類型: (1)內(nèi)存寫周期用MMW信號標記 (2)內(nèi)存讀周期用MMR信號標記 (3)外設(接口 [ 查看詳細 ]

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