靜態(tài)存儲器文章進入靜態(tài)存儲器技術社區(qū)

基于W78E516B單片機的大容量靜態(tài)存儲器接口設計

摘要：為解決采集系統(tǒng)中大量數(shù)據(jù)存儲及數(shù)據(jù)傳輸問題，對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中基于單片機大容量靜態(tài)存儲器的應用進行了 ...
關鍵字：單片機靜態(tài)存儲器接口數(shù)據(jù)采集

IBM已生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM芯片

　　IBM周一宣布，已生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM（靜態(tài)存儲器）單元。　　據(jù)國外媒體報道，SRAM芯片是半導體產(chǎn)業(yè)試驗新工藝的設備，速度更快、體積更小且技術更復雜，主要負責在數(shù)據(jù)被處理之前暫時存儲數(shù)據(jù)。　　IBM認為SRAM芯片的生產(chǎn)是縮小整個微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高，并減少耗電。　　IBM希望，到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機構副總裁陳博士表示：“隨著處理器內核數(shù)量增多，人們對微處理器中存儲器的需求也在日漸增加。為
關鍵字： IBM SRAM 靜態(tài)存儲器 22納米

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靜態(tài)存儲器介紹

教學計算機的內存儲器組成與設計 (1)靜態(tài)存儲器的存儲原理和芯片內部結構(P207) (2)教學計算機內存儲器的組成與設計地址總線：記為AB15～AB0,統(tǒng)一由地址寄存器AR驅動，地址寄存器AR只接收ALU輸出的信息。控制總線：控制總線的信號由譯碼器74LS139給出，功能是指出總線周期的類型：（1）內存寫周期用MMW信號標記（2）內存讀周期用MMR信號標記（3）外設(接口 [ 查看詳細 ]

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