非易失性存儲文章進(jìn)入非易失性存儲技術(shù)社區(qū)

FRAM在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用現(xiàn)狀

在最近熱映的影片《環(huán)太平洋》中，面對怪獸的沖擊波，采用數(shù)字電路控制的機(jī)甲戰(zhàn)士瞬間就癱瘓了，而只有模擬電路扛了下來。這可以形象地用來說明，電子元器件能否抗輻射有時候是人命關(guān)天的事兒！回到現(xiàn)實，在醫(yī)療電子應(yīng)用領(lǐng)域，將能夠抵抗高達(dá)50kGy伽瑪射線消毒的非易失性隨機(jī)存儲器FRAM用于一些與生命息息的關(guān)鍵醫(yī)療設(shè)備就再合適不過
關(guān)鍵字： FRAM 醫(yī)療設(shè)備非易失性存儲 E2PROM 呼吸機(jī)

ST推出2 x 3mm封裝的512-Kbit串口EEPROM

　　串口EEPROM全球市場領(lǐng)先供應(yīng)商意法半導(dǎo)體運用先進(jìn)的非易失性存儲技術(shù)，推出兩款在當(dāng)前市場上最高密度的采工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2 x 3 x 0.6mm 8-引腳微型引線框架封裝(MLP)的512-Kbit器件，再度寫下業(yè)界第一。新產(chǎn)品引腳兼容低密度的存儲器，讓設(shè)計人員無需重新設(shè)計電路板即可直接更換芯片，產(chǎn)品升級更快速、高效。　　串口EEPROM器件具有非易失性存儲功能，采用引腳數(shù)量很少的封裝，適合眾多的消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療和通信產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品內(nèi)置的字節(jié)模式擦除功能使參數(shù)升級變得更加容易，128字
關(guān)鍵字： ST 非易失性存儲 MLP EEPROM

瞄準(zhǔn)亞洲存儲增長商機(jī) 恒憶積極開拓經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)

　　全球非易失性存儲領(lǐng)導(dǎo)廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強(qiáng)、世平、文曄、東棉、金龍等授權(quán)經(jīng)銷商合作，在中國大陸地區(qū)銷售恒憶產(chǎn)品，并提供支持服務(wù)。通過這個穩(wěn)固的經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)，恒憶在亞洲區(qū)的產(chǎn)品與技術(shù)布局將更加完整，足以滿足亞洲快速增長的嵌入式與無線市場需求，尤其是在數(shù)字消費電子、通信和手持裝置等領(lǐng)域。　　亞洲市場規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿?，在恒憶的全球布局中始終占有關(guān)鍵性地位，中國大陸及臺灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長最快、爆發(fā)力最強(qiáng)的市場。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示，2
關(guān)鍵字： Numonyx 非易失性存儲 PCM 手持裝置 NOR RAM

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非易失性存儲介紹

一種數(shù)據(jù)存儲方法，實現(xiàn)原理后是，它包括在介電材料襯底上形成的一個交叉點存儲陣列。交叉點存儲陣列包括第一和第二組橫向電極，它們被一個包含至少一個半導(dǎo)體層的存儲層所分隔。在每個由第一和第二組電極形成的交叉點處，存儲層形成一個非易失性存儲元件。通過對經(jīng)過存儲元件的預(yù)定電流形式的寫入信號的應(yīng)用，每個存儲元件可以在低和高阻抗?fàn)顟B(tài)之間切換，表示對應(yīng)的二進(jìn)制狀態(tài)。每個存儲元件都包括在存儲層上形成的二極管結(jié)點，至 [ 查看詳細(xì) ]

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FRAM在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用現(xiàn)狀

ST推出2 x 3mm封裝的512-Kbit串口EEPROM

瞄準(zhǔn)亞洲存儲增長商機(jī) 恒憶積極開拓經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)

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