高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器 文章 進(jìn)入高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器技術(shù)社區(qū)

復(fù)旦微電子學(xué)院研制出高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器和晶體管

• 自戈登·摩爾提出至今，摩爾定律已持續(xù)發(fā)展半個多世紀(jì)，芯片集成度不斷提高，性能不斷提升。然而如今器件特征尺寸不斷縮小，特別是接近納米尺度的量級時，出現(xiàn)量子尺寸效應(yīng)、界面效應(yīng)、短溝道效應(yīng)等問題，影響了器件性能。根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖預(yù)測，對于5nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)工藝，現(xiàn)有存儲技術(shù)將不能滿足芯片高性能、低功耗的要求。因此，高密度、低功耗的新型存儲器亟待開發(fā)。當(dāng)前計(jì)算機(jī)架構(gòu)基于“馮?諾依曼”體系，計(jì)算與存儲相互分離，二者間的數(shù)據(jù)反復(fù)交換和速度差異占據(jù)了大量冗余時間，被稱為“存儲墻”，直接導(dǎo)致整個芯片系統(tǒng)運(yùn)算速度下降
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