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三星最快7月啟動(dòng)DRAM 17產(chǎn)線 對(duì)手或跟進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)最快將于7月啟動(dòng)在韓國(guó)京畿道華城的17產(chǎn)線。在初期稼動(dòng)，17產(chǎn)線預(yù)定僅啟動(dòng)整體生產(chǎn)能力(CAPA)的10~30%。雖然不會(huì)立即對(duì)目前DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生巨大影響，但不排除競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟進(jìn)加速擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)的可能性。 　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)在第3季投產(chǎn)17產(chǎn)線DRAM。預(yù)定投入20納米DRAM制成的17產(chǎn)線，目前設(shè)備已經(jīng)全數(shù)搬入，并進(jìn)入試驗(yàn)稼動(dòng)中，最快將于7月或8月正式投產(chǎn)。 　　熟稔三星
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備

  • 　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 　　韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購(gòu)不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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DRAM市占率維持上升趨勢(shì)　三星、SK海力士春風(fēng)得意

  • 　　受惠DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展，三星1Q半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收與營(yíng)利成長(zhǎng)率都勝過英特爾。三星官網(wǎng)2015年第1季半導(dǎo)體前五大業(yè)者中，只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)的市占率維持上升趨勢(shì)，受惠于DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展，兩企業(yè)可謂春風(fēng)得意。 　　不只PC、筆記型電腦(NB)，連電視、冰箱、洗衣機(jī)都搭載DRAM的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時(shí)代正在來(lái)臨，使DRAM產(chǎn)業(yè)成為最大的受惠者。而在十多年競(jìng)爭(zhēng)中存活下來(lái)的DRAM三大業(yè)者三星電子、SK海力士與美光(Micron)，正在享受寡
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全球內(nèi)存條市場(chǎng)：中國(guó)記憶科技高居第二

  • 全球內(nèi)存條市場(chǎng)十大廠商，中國(guó)竟排名二名。
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兩岸再攜手建12英寸晶圓代工廠 合肥 力晶誰(shuí)沾了誰(shuí)的光?

  • 如果一切順利，力晶很有可能超越目前正在考慮西進(jìn)大陸的臺(tái)積電，成為繼臺(tái)聯(lián)電登陸廈門后，中國(guó)大陸迎來(lái)的第二座臺(tái)灣12英寸晶圓廠。
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2014年全球DRAM模組廠營(yíng)收排名

  • 　　根據(jù)Trendforce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新發(fā)布的全球記憶體模組廠排名調(diào)查，2014年全球模組市場(chǎng)總銷售金額約為88億美元，與2013年的73億美元相比，大幅成長(zhǎng)約21%左右，主要受惠于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格的平穩(wěn)走勢(shì)與合約市場(chǎng)的比重提升。 　　前五大記憶體模組廠仍占據(jù)整體銷售金額的81%，前十名幾乎囊括全球模組市場(chǎng)中92%的營(yíng)業(yè)額，其中金士頓(Kingston)仍穩(wěn)坐模組廠龍頭之位，營(yíng)收較前年成長(zhǎng)約44%;記憶科技(Ramaxel)與威剛(ADATA)則分居二、三名，都有著不錯(cuò)
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美光2015年三季度利潤(rùn)大幅減少，受個(gè)人電腦市場(chǎng)低迷影響

  • 　　美光科技日前發(fā)布了截至2015年6月4日的第三季度財(cái)報(bào)，銷售額同比減少3%，為38.53億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比減少25%，為6.31億美元;凈利潤(rùn)同比減少39%，為4.91億美元(英文發(fā)布資料)。該公司表示，業(yè)績(jī)惡化是因?yàn)槭艿搅藗€(gè)人電腦市場(chǎng)需求停滯等的影響。經(jīng)營(yíng)個(gè)人電腦相關(guān)產(chǎn)品的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門的業(yè)績(jī)本季度大幅惡化。 　　與上季度(2014年12月～2015年2月)相比，總銷售額減少8%，毛利潤(rùn)率也降低了約3個(gè)百分點(diǎn)，約為31%。減收減益的主要原因是DRAM的平均銷售單價(jià)環(huán)比降低10%。不過，削減制
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美光本季財(cái)測(cè)差 PC不妙

  • 　　電腦晶片制造商美光科技公司(Micron)上季獲利下滑39%，并警告本季的營(yíng)收可能低于市場(chǎng)預(yù)期，因?yàn)閭€(gè)人電腦(PC)晶片的價(jià)格可能繼續(xù)下跌。 　　美光生產(chǎn)PC用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片，以及行動(dòng)裝置用來(lái)儲(chǔ)存音樂、相片等資料的NAND記憶晶片。DRAM約占美光總營(yíng)收的60%。 　　美光25日公布，截至6月4日的年度第3季營(yíng)收為38.5億美元，較去年同期減少3.2%，是兩年多來(lái)首次下滑，也不如分析師預(yù)期的39億美元。 　　上季獲利為4.91億美元，或每股42美分，低于一年前的8.06億美
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DRAM報(bào)價(jià)慘！美光獲利掉近四成、盤后暴跌

  • 　　美國(guó)記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)最新財(cái)報(bào)(2015會(huì)計(jì)年度第三季)出爐，受PC景氣蕭條影響，美光當(dāng)季獲利暴瘦近四成，且本季展望也不如預(yù)期。 　　DRAM與NAND記憶體是美光主要產(chǎn)品，也多用在PC上。美光執(zhí)行長(zhǎng)Mark Durcan在財(cái)報(bào)上明講，景氣逆風(fēng)主要來(lái)自PC上半年需求疲弱。 　　翻開財(cái)報(bào)檢視，美光當(dāng)季DRAM銷售量平平，但平均售價(jià)跌了一成，拖累當(dāng)季整體營(yíng)收年減3%至38.5億美元，低于分析師預(yù)估的39億美元。 　　凈利僅4.91億美元，較去年同期衰退
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ISSI 并購(gòu)戰(zhàn)狂打三個(gè)月，中國(guó)進(jìn)軍 DRAM 頻遭搶親

  • 　　2015 年 3 月 12 日，以武岳峰為首的中國(guó)資本企業(yè)發(fā)表聲明，將以每股 19.25 美元收購(gòu)美國(guó) DRAM 廠商 ISSI，宣告中國(guó)的半導(dǎo)體布局觸角延伸到 DRAM 產(chǎn)業(yè)，但邁開的這一步卻始終無(wú)法走向下個(gè)階段，時(shí)經(jīng)三個(gè)月雙方仍在并購(gòu)談判中原地踏步，很大一部分原因在于殺出賽普拉斯(Cypress)這家程咬金。 　　你來(lái)我往的出價(jià)競(jìng)賽 　　檢視這三個(gè)月雙方的并購(gòu)發(fā)展，這場(chǎng) ISSI 爭(zhēng)奪大戰(zhàn)打得如火如荼，5 月 13 日另家美國(guó)半導(dǎo)體廠商賽普拉斯(Cypress)出手，宣布將以每股優(yōu)于武岳峰資本
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20納米制程難轉(zhuǎn)換　DRAM次級(jí)品流竄市場(chǎng)

  • 　　DRAM芯片轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程難度高，市場(chǎng)供需失衡蔓延到各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入20納米制程世代后，進(jìn)入門檻非常高。一方面是設(shè)備投資變大，需求的機(jī)臺(tái)設(shè)備多很多，甚至讓DRAM廠加蓋無(wú)塵室來(lái)放擺放機(jī)臺(tái)設(shè)備，否則導(dǎo)致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個(gè)高門檻就是生產(chǎn)難度大增，DRAM市場(chǎng)價(jià)格無(wú)法反彈，這些次級(jí)品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。 　　市場(chǎng)終端需求不好，蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲(chǔ)器容量從1G升級(jí)到2G，其他新機(jī)容量甚至提升到4
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中芯主導(dǎo) 國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片廠落戶武漢

  • 　　國(guó)內(nèi)廠商現(xiàn)在處理器市場(chǎng)已經(jīng)獲得了一席之地，華為海思、瑞芯微、展訊、瑞迪科已經(jīng)是其中的佼佼者，不過整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中國(guó)內(nèi)的力量還是很弱的，國(guó)內(nèi)廠商還不到自滿的時(shí)候，下一個(gè)目標(biāo)看起來(lái)就是DRAM內(nèi)存芯片了，現(xiàn)在本土的DRAM廠已經(jīng)確定落戶武漢市了，新廠將由中芯國(guó)際的高管主導(dǎo)。 　　   　　與移動(dòng)處理器市場(chǎng)不同，DRAM芯片的技術(shù)及工廠主要集中在了美光、三星、SK Hynix這幾家手中，日系DRAM基本上滅了，還有的就是臺(tái)灣的一些DRAM廠商了，比如茂德、南亞等。現(xiàn)在國(guó)內(nèi)也把注意力放在D
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國(guó)家大基金扶植半導(dǎo)體上路 邏輯、存儲(chǔ)器芯片攻勢(shì)猛

  • 　　大陸扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，近7成資金將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域。法新社大陸設(shè)立大基金扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，半導(dǎo)體業(yè)者透露，分5年總計(jì)人民幣6，000億元資金有近7成將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域，重點(diǎn)扶植項(xiàng)目包括邏輯芯片、DRAM及NAND Flash芯片等，其中，邏輯芯片將以中芯國(guó)際為首，至于存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)⑾葟腄RAM芯片切入，長(zhǎng)期目標(biāo)是大陸內(nèi)需50%半導(dǎo)體芯片全數(shù)自制。 　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，大陸國(guó)家IC產(chǎn)業(yè)投資基金，每年提撥人民幣1，200億元投入自建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，初期規(guī)劃5年、共人民幣6
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DRAM微縮到頂！新存儲(chǔ)器MRAM、ReRAM等接班？

  • 　　DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認(rèn)為次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身，要以更快的存取速度橫掃市場(chǎng)。 　　   　　韓媒BusinessKorea 16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無(wú)法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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電子元器件行業(yè):半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)呼聲漸高

  • 　　06月8日-06月14日，電子行業(yè)表現(xiàn)強(qiáng)于大市。截止06月12日收盤時(shí)，中信電子行業(yè)指數(shù)大漲3.82%，滬深300(5064.821, -156.35, -2.99%)指數(shù)上漲2.0%，上證綜指上漲2.85%。電子元器件子板塊全線上漲，其中半導(dǎo)體材料和顯示器件漲幅最大，分別為7.03%和7.62%。分立器件和光學(xué)元件板塊漲幅較小，分別為0.88和2.81%。 　　行業(yè)觀點(diǎn):電子行業(yè)上周出現(xiàn)全面上漲，半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)漲幅最大。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金分5年總計(jì)6，000億元注入到在集成電路制造、設(shè)備、材料領(lǐng)域，重
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