1α dram 文章 進入1α dram技術社區(qū)
南亞科技9月下半月將把芯片價格上調(diào)10%
- 9月18日消息 據(jù)華爾街日報導報,南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱,因個人電腦銷售旺盛,繼續(xù)帶動DRAM芯片需求,公司將把9月下半月的動態(tài)隨機存儲(DRAM)芯片價格較上半月上調(diào)10%。 白培霖表示,公司幾乎已經(jīng)達成了下半月的所有交易,由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個人電腦制造商進行兩次DRAM芯片價格談判。 白培霖還稱,南亞科技9月上半月將DRAM芯片價格較8月末上調(diào)了15%,公司目前的芯片平均售價約為2美元,高于其現(xiàn)金成本。 但白培霖稱,南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
- 關鍵字: 南亞科技 DRAM
DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際,各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢,DDR2飽受冷板凳之苦許久,然現(xiàn)在風水輪流轉(zhuǎn),DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故,市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪,DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢,導致現(xiàn)在DDR2庫存過低,南亞科副總白培霖即指出,DDR2在10月之后,缺貨問題將更明顯浮上臺面,且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價,屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。 近期市場傳言,三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
- 關鍵字: Samsung DRAM NAND
全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年
- 市場研究公司IC Insights表示,今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%,其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康,這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月,IC市場銷售額增長了43%,DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 爆炸式的增長率當然也與今年1月半導體市場業(yè)績達到此輪衰退的最低點有關。 “IC產(chǎn)業(yè)復蘇并不會是緩慢的,而是V形增長,目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
- 關鍵字: DRAM NAND MPU 模擬電路
三星電子半導體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關業(yè)者表示,三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間,且可能超越上述區(qū)間。 三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元,其中半導體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元,通訊部門則是1.257兆韓元,占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元,占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
- 關鍵字: 三星 DRAM LCD
海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈
- 韓國半導體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益,破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 據(jù)業(yè)界預測,2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士,2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈,落在2,000億韓元左右,接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模,而在2007年第3季以后,三星已連續(xù)7季營運呈現(xiàn)虧損。 分析指出,海力士營運改
- 關鍵字: Hynix DRAM 50納米
南科:資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進度無虞
- 景氣轉(zhuǎn)好,近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過,合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣,下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過,加上6月時私募120億元,以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案,南科銀彈滿滿,轉(zhuǎn)進50奈米制程進度已經(jīng)無虞。 日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加,原應在8月結(jié)案,順延到9月上旬,金額也由最初預定的300億元規(guī)模,被聯(lián)貸銀行團超額認購到422億元,最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好,銀行團原本緊縮的態(tài)度,也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案,預計將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露,最晚第四季就
- 關鍵字: 南科 DRAM 68納米
存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺廠面對這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗,破壞DRAM價格漲勢,然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單,且隨著智能型手機價格平民化的趨勢,未來內(nèi)建高容量存儲器普及,都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場前景,三星在喜迎蘋果大單之余,也無暇與臺系DRAM廠廝殺,暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
- 關鍵字: 三星 DRAM NAND 存儲器
施顏祥:處理TMC 著眼技術生根
- 臺灣新任“經(jīng)濟部長”施顏祥11日強調(diào),成立TMC的時空環(huán)境在變,當時規(guī)劃時全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴峻狀態(tài),現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 施顏祥說,現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整,他會在下周聽取工業(yè)局簡報,了解TMC政策推動進度與細節(jié),再決定未來怎么做,原則上還是會以技術生根角度處理TMC的問題。 施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟部”重擔,未來不僅要面對TMC政策衍生的爭議,還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟合作架
- 關鍵字: TMC DRAM
高盛:未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)
- Window 7將在下個月上市,觸控面板成為主打商機。不過,今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報告卻是指出未來3~6個月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認為,今年TFT LCD的價格在9月已經(jīng)到頂,因為10月回補庫存結(jié)束。而在DRAM方面,據(jù)了解,國內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁,目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。 臺灣NB大廠宏碁,在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB,該六款NB也都搭載2G DDR3,顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準備因應未來DDR3的
- 關鍵字: 高盛 DRAM 觸控面板
40nm工藝帶來全新競爭力
- 全球能源問題的集中爆發(fā),讓半導體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升,而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。 市場研究機構Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術及服務的創(chuàng)新方面扮演領航者的角色,未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時,專業(yè)
- 關鍵字: 臺積電 DRAM 40nm 45nm 200909
三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM,將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓,以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 報導指出,三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM,加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn),故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后,三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導指
- 關鍵字: 三星 DRAM 晶圓 NAND
1α dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1α dram的理解,并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1α dram的理解,并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473