- 據臺灣媒體報道，臺灣DRAM廠茂德科技董事會日前決議，與合作伙伴韓國海力士半導體 (Hynix)簽訂停止合作協(xié)議書。茂德表示，未來將轉與臺灣內存公司(TMC)等合作。
茂德甫于去年5月與海力士簽署策略聯盟合約，不僅延續(xù)雙方既有的技術合作伙伴關系，海力士將技轉50納米世代堆疊式DRAM制程技術給茂德;海力士還斥資新臺幣34.56億元，取得5.76億股茂德私募增資股。
此外，海力士資深副總裁Min Goo Choi也于今年茂德股東常會董監(jiān)事改選中，順利當選董事。
只是在茂德制程技術尚未推
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海力士 DRAM 50納米
- 臺塑集團布局DRAM產業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產業(yè)地位。
存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
- 隨著全球PC廠商準備應對返校季節(jié)和圣誕節(jié)的銷售，DRAM計算機內存價格正在上漲。由于微軟Windows 7操作系統(tǒng)即將推出，內存價格上漲將超過人們的預期。
Windows 7將在10月22日推出的消息令人們興奮不已。主要原因是Windows 7到目前為止的測試結果贏得了好評，引起了Windows 7最終將把Windows XP用戶吸引過來的希望。Windows XP在市場上占統(tǒng)治地位已經有8年時間了。Windows 7還為PC應用一些新功能鋪平了道路。這種情況也會推動銷售。
據DRAMeX
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三星 DRAM 內存芯片
- 7月21日三星電子宣布已經開始量產40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級別產品全世界首次進入量產。同時該產品比去年九月量產的50納米產品擁有更高的量產性。
據悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內首次量產50納米DDR3 Dram之后，該公司又于2009年1月首次開發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產。三星電子通過不斷簡化生產工藝縮短生產時間，極大地提高了生產效率和成本競爭力。
三星電子表示，新一代量產的40納米產品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50
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三星 40納米 Dram
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。
該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。
三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。
該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。
ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產技術，比如采用40納米制程生產DRAM和
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三星 DRAM 30納米 NAND
- 三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲器先進制程，對于臺灣DRAM廠來說，又將面臨一次嚴峻的考驗。
DRAM廠目前最欠缺的就是金援，以現在全球DRAM業(yè)者來看，很難靠一己之力對外籌資。也因此，包括韓國、日本等國政府都已出手金援，相形之下，臺灣DRAM廠迄無政府資金奧援，儼然落居劣勢。
由于資金壓力緊迫，加上政府產業(yè)再造計劃仍沒有進一步具體動作，甚至連政府挹注TMC資金都還沒到位，近期臺塑集團旗下南科、華亞科已搶先發(fā)動募資計畫，將有助提升臺灣DRAM 產業(yè)競爭力與韓系業(yè)者勢力抗衡。
伴隨
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三星 DRAM 存儲器
- 2009年DRAM產業(yè)景氣從谷底爬出，各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食，日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半，全年支出僅約16億美元，但分析師預估，將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算，2009年的總資本支出也頂多10億美元，較目前規(guī)劃的金額減少6億美元，充分反應對存儲器市場看法的保守;此外，臺系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉進50納米，2009年資本支出規(guī)劃超過新臺幣100億元，力晶資本支出不到50億美元，茂德更無資本支出可言。
DRAM業(yè)者表示，以
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海力士 DRAM 存儲器
- 三星破天荒公布第二季獲利預估，優(yōu)于市場預期，業(yè)界認為作多意味濃厚，三星主要業(yè)務涵蓋面板、手機、半導體晶片等三大領域，以現況來看，面板需求暢旺無虞，但半導體芯片，尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲領域，則仍有觀察空間。
近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內外大廠，紛紛看好下半年DRAM價格走勢，為市場信心吞下一顆定心丸。
但業(yè)界憂心，三星第二季整體獲利超乎市場預期，在記憶體價格仍未見明顯起色下，是否會以其他部門的獲利，來彌補存儲事業(yè)虧損，進而持續(xù)以&
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三星 DRAM 半導體芯片
- 華亞科總經理于9日發(fā)表對臺灣DRAM產業(yè)整合的建言，9日更傳出臺塑集團搶在TMC前面，向“經濟部”和國發(fā)基金送出DRAM整合企畫書;惟對此南亞科和華亞科表示，在幾天前的確以南亞科的名義，向工業(yè)局送出研發(fā)補助草案，非正式送件，也與DRAM整合無關，正式的整合計畫書將于近期送出;惟臺塑集團和TMC之間的戰(zhàn)火，各方互不相讓。
“經濟部”針對臺灣DRAM產業(yè)整合成立TMC，選定爾必達作為臺灣技術主軸，引發(fā)不少DRAM業(yè)者的抗議聲浪，臺塑集團首先出面拒絕加入
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TMC DRAM
- 臺塑集團的DRAM晶片廠南科、華亞科近日向臺“經濟部”提出資金援助申請，希望政府支持臺塑集團投入技術開發(fā)計劃。預計將向政府爭取國發(fā)基金的資金挹注，額度約在200億至300億臺幣。
在臺灣當局今年年初出面主導成立臺灣記憶體公司(TMC)，希望藉此進行動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)產業(yè)整合再造後，臺塑集團在4月初時曾表示，與海外技術夥伴美光不會加入TMC陣營，反之希望政府比照TMC，予以資金等支持。
報導引述華亞科總經理高啟全稱，有鑒政府將挹注資金給新的TMC公司，現也
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TMC DRAM
- 三星破天荒公布第二季獲利預估，優(yōu)于市場預期，業(yè)界認為作多意味濃厚，三星主要業(yè)務涵蓋面板、手機、半導體晶片等三大領域，以現況來看，面板需求暢旺無虞，但半導體芯片，尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲領域，則仍有觀察空間。
近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內外大廠，紛紛看好下半年DRAM價格走勢，為市場信心吞下一顆定心丸。
但業(yè)界憂心，三星第二季整體獲利超乎市場預期，在記憶體價格仍未見明顯起色下，是否會以其他部門的獲利，來彌補存儲事業(yè)虧損，進而持續(xù)以&
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三星 DRAM 存儲器
- 半導體技術極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領悟到一些哲理。
本演講根據半導體技術“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導體技術的發(fā)展哲理，供大家參考討論。
發(fā)展歷程
根據IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個階段：
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集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
- 日本經濟產業(yè)省日前依據“產業(yè)再生法”，決定透過該國政策投資銀行(DBJ)，對DRAM大廠爾必達投資300億日圓，DBJ并將與日本民間四大銀行連手提供超過1,000億日圓融資，協(xié)助爾必達度過難關。日本經濟產業(yè)大臣二階俊博在記者會上表示，“爾必達的經營若出狀況，將對日本電子產業(yè)造成極大影響，因此政府決定提供金援”。
看到這則新聞，讓人不無感慨。馬英九去年12月4日曾告訴外籍記者：“臺灣DRAM廠倒了，我們的IT產業(yè)就糟糕了。”他
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TMC DRAM 手機
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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英特爾 DRAM NAND 34納米
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