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DRAM內(nèi)存市場(chǎng)供過(guò)于求 走勢(shì)取決于三星電子
- 6月10日消息,內(nèi)存交易網(wǎng)站DRAMeXchange預(yù)計(jì)今年第三季度DRAM內(nèi)存將繼續(xù)供過(guò)于求。DRAM內(nèi)存廠商對(duì)此做出了反應(yīng)并且評(píng)論說(shuō),整個(gè)市場(chǎng)前景在很大程度上取決于市場(chǎng)龍頭三星電子如何動(dòng)作。 據(jù)我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道,雖然預(yù)計(jì)DRAM內(nèi)存合同報(bào)價(jià)在6月份將觸底,但是,DRAMeXchange認(rèn)為,DRAM內(nèi)存供過(guò)于求的局面在今年第三季度仍將繼續(xù),只有到今年第四季度才能達(dá)到平衡。因此,這家內(nèi)存交易公司指出,三星電子和海力士半導(dǎo)體今年7月份將會(huì)把DDR2內(nèi)存產(chǎn)量較少15%。讓渠道和電腦OEM廠商
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星電子 消費(fèi)電子 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格達(dá)谷底即將回調(diào)達(dá)到波谷
- 亞洲芯片制造商上周末召開(kāi)了會(huì)議,研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格已經(jīng)達(dá)到了波谷,未來(lái)將有所上浮。在上周四的全球市場(chǎng)上,DRAM內(nèi)存平均售價(jià)再次下滑了五個(gè)百分點(diǎn),而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢(shì)。計(jì)算機(jī)內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示,內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)迅速下調(diào),有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實(shí)際上,自從今年開(kāi)始,某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)足足下滑了70%。 “如今的價(jià)格已經(jīng)幾乎達(dá)到了最低點(diǎn),我們都在等待重新的上浮?!盌aiwa研究所分析家JaeLee先生表示,“如果庫(kù)存量下滑,價(jià)格上浮
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內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格達(dá)谷底即將回調(diào)
- 路透社:亞洲內(nèi)存制造商:DRAM芯片價(jià)格已到谷底,7月開(kāi)始回調(diào) 亞洲芯片制造商上周末召開(kāi)了會(huì)議,研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格已經(jīng)達(dá)到了波谷,未來(lái)將有所上浮。 據(jù)路透社報(bào)道,在上周四的全球市場(chǎng)上,DRAM內(nèi)存平均售價(jià)再次下滑了五個(gè)百分點(diǎn),而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢(shì)。電腦內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示,內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)迅速下調(diào),有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實(shí)際上,自從今年開(kāi)始,某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)足足下滑了70%。 “如今的價(jià)格已經(jīng)幾乎達(dá)到了最低點(diǎn),我們都在等待重新的
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韓制造商全球DRAM儲(chǔ)存市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位受到威脅
- 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) iSuppli總裁兼首席執(zhí)行官Derek Lidow稱(chēng),未來(lái)三年內(nèi),韓國(guó)的DRAM 儲(chǔ)存芯片制造商長(zhǎng)期以來(lái)在全球的領(lǐng)先地位存在著威脅,可能將被其他外國(guó)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手奪取。 在韓國(guó)舉行的數(shù)字論壇上Lidow表示,目前在全球DRAM儲(chǔ)存芯片市場(chǎng),韓國(guó)的制造商仍然保持了領(lǐng)先的位置,去年三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷(xiāo)售收入在全球市場(chǎng)占到45%。相比之下中國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的公司擁有的份額為17%。 Lidow預(yù)期今年全球DRAM儲(chǔ)存芯片的發(fā)貨量將發(fā)生變化,韓國(guó)廠
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DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價(jià)瀕臨變動(dòng)成本
- 近來(lái)對(duì)于所有DRAM廠來(lái)說(shuō)都面臨慘不忍睹的情況,原因在于DRAM售價(jià)重挫,幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開(kāi)一波自救計(jì)劃,部分DRAM廠已正式啟動(dòng)產(chǎn)能調(diào)配計(jì)劃,希望通過(guò)這樣動(dòng)作來(lái)減少虧損,也因?yàn)镈RAM廠已開(kāi)始減產(chǎn),DRAM廠認(rèn)為第三季度應(yīng)該可以見(jiàn)到減產(chǎn)后對(duì)于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過(guò)去幾個(gè)月以來(lái)全球DRAM售價(jià)不斷出現(xiàn)暴跌,雖說(shuō)目前價(jià)格略微回穩(wěn),不過(guò)整體來(lái)說(shuō)DRAM廠還是面臨到嚴(yán)重虧損壓力,DRAM廠坦承這樣的售價(jià)幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時(shí)所需的變動(dòng)成本,
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三大DRAM廠商瘋狂擴(kuò)產(chǎn) 致內(nèi)存價(jià)崩潰
- 據(jù)業(yè)界消息稱(chēng),由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(dá)(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量,因此DRAM內(nèi)存價(jià)格近期出現(xiàn)大幅下跌。 據(jù)悉,這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能,將之前生產(chǎn)其它類(lèi)型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測(cè),07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響,全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長(zhǎng)20-30%。 美光科技由于預(yù)測(cè)07年受手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng),CIS(C
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)
- 5月16日,據(jù)香港媒體報(bào)道,海力士半導(dǎo)體高層主管今日表示,公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期,但是有望在7月或者8月開(kāi)始得到好轉(zhuǎn)。 海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對(duì)媒體表示,目前,移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格尚沒(méi)有止跌,但是希望下半年通過(guò)供需的改善,需求應(yīng)該會(huì)快速成長(zhǎng)。 2006年,由于電腦存儲(chǔ)芯片需求超過(guò)預(yù)期,導(dǎo)致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中,最后導(dǎo)致供過(guò)于求。除了供需失衡影響外,微軟的Vista系統(tǒng)的相關(guān)新需求也令這些廠商們失望。
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DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底,NAND供應(yīng)商加快開(kāi)發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品
- 據(jù)Dramexchange消息,4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右,這也影響到了現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷(xiāo)售旺季,PC廠商將增加庫(kù)存,預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長(zhǎng)。因此,DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑,已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移,以及提高1GB芯片的出貨量,將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績(jī)的兩大因素。由于需求仍然疲軟,現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近,DDR2 eTT跌到
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全球12吋DRAM廠版圖擴(kuò)大 亞洲成為戰(zhàn)略重地
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)正式對(duì)外宣布,將在未來(lái)5年出資20億歐元,在亞洲地區(qū)自行興建第1座12吋廠,自此可說(shuō)全球DRAM大廠從東北亞到東南亞均已到場(chǎng)卡位,其中,北有爾必達(dá)(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix),中有臺(tái)灣DRAM四寶及大陸中芯,南則有美光(Micron)、奇夢(mèng)達(dá),全球各大DRAM廠幾乎都在亞洲建先進(jìn)廠。 奇夢(mèng)達(dá)26日表示,未來(lái)5年內(nèi)將在新加坡花費(fèi)高達(dá)20億歐元興建12吋廠,奇夢(mèng)達(dá)全球總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)羅建
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Hynix勢(shì)頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危
- 4月28日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,權(quán)威調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner日前指出,三星在全球DRAM市場(chǎng)的份額已降至7年來(lái)的最低點(diǎn),可能被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報(bào)告顯示,今年第一季度,三星全球DRAM市場(chǎng)份額已降至25.5%,比第二名的Hynix僅高出2.7個(gè)百分點(diǎn)。這是自2000年以來(lái),三星在DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)最糟糕的一次。 在過(guò)去的五年中,三星的DRAM市場(chǎng)份額平均比第二名高出17%。相比之下,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Hynix的市場(chǎng)份額達(dá)到了22.8%。銷(xiāo)售額達(dá)到了21.82億美元,同比增長(zhǎng)6
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DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾日前表示,其所開(kāi)發(fā)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)有潛力取代當(dāng)前的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。 在日前于北京召開(kāi)的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)”上,英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存,并表示,PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。 Rattner還稱(chēng),英特爾開(kāi)發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉,PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品,它集DRAM內(nèi)存的高速存取,以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體,因此被業(yè)界視為未來(lái)D
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4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道,運(yùn)營(yíng)著一個(gè)在線DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱(chēng),最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%,每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買(mǎi)賣(mài)。最新的報(bào)價(jià)來(lái)自4月上旬的合約價(jià)格,它們顯示出DR
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4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息,據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道,運(yùn)營(yíng)著一個(gè)在線DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱(chēng),最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%,每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買(mǎi)賣(mài)。最新的報(bào)價(jià)來(lái)
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揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短發(fā)展FeRAM
- 存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥,或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件,有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性?xún)刹糠?,它們各有所長(zhǎng),應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM,SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù),但是RAM 類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM(只讀存儲(chǔ)器)技術(shù),包
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