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將DRAM技術(shù)根留臺(tái)灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  • 　　聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個(gè)人被起訴，聯(lián)電也被臺(tái)中地檢署根據(jù)違反營(yíng)業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營(yíng)業(yè)秘密”，因此視為共犯。 　　我們可以從三大層面來(lái)探討聯(lián)電和大陸合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在這個(gè)合作案當(dāng)中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過(guò)程中，有無(wú)竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒(méi)有教唆員工竊密，只因?yàn)?ldquo;未積極防范&rdqu
  • 關(guān)鍵字： DRAM  聯(lián)電  

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(zhǎng)預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢(shì)

  • 　　隨著時(shí)序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開(kāi)針對(duì)明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會(huì)議，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計(jì)劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩，除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo)，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(zhǎng)率為19.6%，維持在近年來(lái)的低點(diǎn)，加上2018年整體DRAM需求端年成長(zhǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%，供給吃緊的態(tài)勢(shì)將延續(xù)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(zhǎng)預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢(shì)

  • 　　隨著時(shí)序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開(kāi)針對(duì)明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會(huì)議，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計(jì)劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩，除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo)，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(zhǎng)率為19.6%，維持在近年來(lái)的低點(diǎn)，加上2018年整體DRAM需求端年成長(zhǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%，供給吃緊的態(tài)勢(shì)將延續(xù)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
  • 關(guān)鍵字： DRAM  美光  

半導(dǎo)體，中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)需要怎樣突破？

  • 世界集成電路三強(qiáng)：英特爾，三星，高通。光是高通和英特爾兩家，每年就能帶給美國(guó)八九百億美元的營(yíng)收，養(yǎng)活數(shù)萬(wàn)美國(guó)工程師，還能帶來(lái)一百多億美元的凈利潤(rùn)。中國(guó)的經(jīng)濟(jì)升級(jí)最大的兩個(gè)領(lǐng)域是汽車(chē)制造工業(yè)和集成電路工業(yè)。未來(lái)怎樣能在這兩個(gè)超級(jí)產(chǎn)業(yè)完成逆襲？
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  

DRAM市場(chǎng)：海力士率先擴(kuò)產(chǎn)，其他企業(yè)能否緊隨其后

  • 　　DRAM存儲(chǔ)器是有史以來(lái)價(jià)格波動(dòng)最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動(dòng)性強(qiáng)的又一例證， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時(shí)間，DRAM價(jià)格已經(jīng)翻了一番還要多。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲(chǔ)價(jià)格(price per bit)漲幅將超過(guò)40%，為史上最高。 　　僅僅一年前，DRAM采購(gòu)商還在盡可能利用產(chǎn)能過(guò)剩狀況來(lái)向DRAM制造商壓價(jià)，根本不管DRAM制造商在這樣低價(jià)合同上會(huì)賠多少錢(qián)。現(xiàn)在，DRAM制造商正在“復(fù)仇”，不斷漲
  • 關(guān)鍵字： DRAM  海力士  

臺(tái)專家：中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展模式的探討

  • 　　大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時(shí)期、改革開(kāi)放前的起步探索時(shí)期、改革開(kāi)放初期的開(kāi)發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設(shè)時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當(dāng)中2014年6月國(guó)務(wù)院發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國(guó)家集成電路大基金，更成為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。 　　  爾后不論是中國(guó)制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng)，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國(guó)家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

美光：未來(lái)兩季 DRAM供不應(yīng)求

  • 　　美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來(lái)兩季DRAM仍是供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。 　　他強(qiáng)調(diào)，美光在上季公布財(cái)報(bào)時(shí)也預(yù)估本季營(yíng)收和獲利展望，同時(shí)看好DRAM和儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)未來(lái)營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強(qiáng)勁，但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，預(yù)估未來(lái)兩季，DRAM仍供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。 　　艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著眼于制程技術(shù)推進(jìn)，短期內(nèi)不會(huì)增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠，包括三星、SK海力士，也是
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬(wàn)片產(chǎn)能

  • 　　中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計(jì)劃已經(jīng)獲得臺(tái)灣科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會(huì)的核準(zhǔn)，總投資金額達(dá)新臺(tái)幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞所說(shuō)，建廠時(shí)間預(yù)計(jì)3年的情況下，則新廠2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。 　　華邦電為臺(tái)灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬(wàn)片，2017年年底將擴(kuò)增至4.8萬(wàn)片，2018年底則擴(kuò)增到5.3萬(wàn)片。未來(lái)，最大的擴(kuò)充能量到5.5萬(wàn)片時(shí)就已經(jīng)將當(dāng)前臺(tái)中廠的剩余空間給全部用光。 　　因此，面
  • 關(guān)鍵字： 華邦電  DRAM  

莫大康：中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

  • 　　與美國(guó)在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國(guó)力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 　　01引言 　　近期華爾街日?qǐng)?bào)撰文“中國(guó)的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國(guó)的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場(chǎng)，歪曲事實(shí)。 　　此次中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 　　一個(gè)是差距大，希望迅速的成長(zhǎng)，至多是擴(kuò)大芯片的自給率。 　　另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

存儲(chǔ)器價(jià)格為何居高不下？

  • 存儲(chǔ)器價(jià)格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш狻?/li>
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

存儲(chǔ)器“漲”勢(shì)不停 中國(guó)有望填補(bǔ)產(chǎn)能缺口

  • 存儲(chǔ)器作為智能手機(jī)，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無(wú)貨可用的尷尬。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

服務(wù)器DRAM大熱賣(mài)、報(bào)價(jià)季季漲 南亞科宜鼎受惠

  • 　　今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺(tái)，英特爾Purley平臺(tái)已經(jīng)開(kāi)始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開(kāi)始放量出貨，而在云端運(yùn)算、人工智能的帶動(dòng)下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報(bào)價(jià)又調(diào)漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢(shì)無(wú)疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢(shì)下，專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會(huì)大受益。 　　DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開(kāi)出，業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長(zhǎng)，帶動(dòng)今年以來(lái)DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價(jià)今年上半年已大漲逾4成幅度
  • 關(guān)鍵字： 服務(wù)器  DRAM  

全球半導(dǎo)體企業(yè)紛紛爭(zhēng)霸 中國(guó)成為“攪局者”

  • 　　在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)云變幻，傳統(tǒng)代表廠商相互競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。而中國(guó)正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購(gòu)拉開(kāi)了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)登上國(guó)際舞臺(tái)的序幕。然而現(xiàn)在來(lái)看，前途仍然充滿荊棘! 　　國(guó)內(nèi)掀起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購(gòu)熱 　　半導(dǎo)體作為世界性產(chǎn)業(yè)，體現(xiàn)著一個(gè)國(guó)家的綜合實(shí)力。在日本，半導(dǎo)體被稱為“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。 　　8月23日晚，中國(guó)紫光集團(tuán)斥資240億美元開(kāi)始興建國(guó)內(nèi)首座先進(jìn)存儲(chǔ)芯片廠，消息一經(jīng)傳出，引得國(guó)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  臺(tái)積電  

全球DRAM供應(yīng)量不足 HPE內(nèi)存價(jià)格暴漲

  • 　　據(jù)消息人士透露，HPE公司自今日起將其服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格提高了20%，由于目前正處于全球范圍內(nèi)DRAM供應(yīng)量短缺的恢復(fù)階段，因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高，從而導(dǎo)致了此番HPE服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格上漲。與此同時(shí)，各DRAM廠商亦迎來(lái)創(chuàng)紀(jì)錄的銷(xiāo)售額新高。 　　   　　在一封發(fā)送給貿(mào)易客戶的郵件中，HPE公司談到了涉及了這一定價(jià)變動(dòng)，并解釋稱：“8月21日星期一，HPE將老版本與低容量?jī)?nèi)存SKU的建議銷(xiāo)售價(jià)格提升10%至20%。” 　　以下內(nèi)存產(chǎn)品將受到影響：
  • 關(guān)鍵字： DRAM  HPE  

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  • 　　隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來(lái)前景。 　　或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過(guò)，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
  • 關(guān)鍵字： MRAM  DRAM  
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