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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1β dram

國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機制

  • 　　存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性，以及長期大投入、高風(fēng)險特性，研究認為，盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機制，無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。 　　存儲
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DRAM內(nèi)存價格猛漲停不下來，下半年才能穩(wěn)定？

  • 從去年下半年開始DDR3和DDR4內(nèi)存的價格都在瘋漲，這個漲勢什么時候會停呢?放心吧紅市會一直持續(xù)到今年第二季度，到了第三季度可能會穩(wěn)定下來，然而這不代表價格會降低。
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DRAM強漲 金士頓：將缺貨一整年

  • 　　內(nèi)存市況今年持續(xù)看好，據(jù)SEMI半導(dǎo)體協(xié)會預(yù)估，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長17.8%，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)強勁成長的主要推手，不少相關(guān)業(yè)者表示，缺貨情況將再延續(xù)半年，第2季有機會呈現(xiàn)小漲走勢。 　　DRAM報價從2016年第4季成功終止連續(xù)下跌8季的低潮，開始展開強勁的反彈，迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經(jīng)理李培瑛、封測大廠力成(6239)董事長蔡篤恭口徑一致指出，至少還要再缺貨半年，內(nèi)存模塊大廠金士頓更直說，DRAM將缺貨一整年。 　　應(yīng)用多元需求走強 　　臺灣金士頓
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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

  • 　　雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認，其地位依然很強勢。強大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機，雖然導(dǎo)致其智能手機業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價格主導(dǎo)權(quán)利。 　　不管是PC業(yè)務(wù)還是手機業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下，唯獨DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨，甚至漲價，據(jù)了解，DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知，
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NOR Flash也要漲價 元器件供應(yīng)鏈為何進入缺貨周期？

  • 從2016年下半年開始，包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個壓力就轉(zhuǎn)移到了消費者身上，引起蝴蝶效應(yīng)。
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DRAM市場所向披靡 三星穩(wěn)坐存儲霸主寶座

  • 　　雖然現(xiàn)在三星被業(yè)界貶低，但是我們不得不承認，其地位依然很強勢。強大的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍是三星的后盾，這些年來三星憑借該業(yè)務(wù)獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機，雖然導(dǎo)致其智能手機業(yè)務(wù)遭遇滑坡，但是元件業(yè)務(wù)的完全可以彌補，直到現(xiàn)在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大，依然有價格主導(dǎo)權(quán)利。 　　不管是PC業(yè)務(wù)還是手機業(yè)務(wù)未來日子不好過的情況下，唯獨DRAM內(nèi)存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內(nèi)存開始缺貨，甚至漲價，據(jù)了解，DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知，由于
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2020年63%智能手機采用8GB RAM

  • 　　智能手機屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移動DRAM的需求，讓三星、海力士等韓國兩大存儲器廠錢景一片看好。 　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange周日發(fā)布報告預(yù)測，第一季DDR雙通道存儲器芯片報價今年第一季有望成長10-15%，為前一季3-7%的兩倍多，反映市場供給吃緊的程度。 　　智能手機功能越來越多元，高分辨率的大屏幕手機更有賴于高密度DRAM模組驅(qū)動，如此才能實現(xiàn)類似PC的“多線程工作”。據(jù)傳，三星今年推出的Galaxy S8手機其中一款
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美光預(yù)投1,300億未來規(guī)劃中科擴廠計劃

  • 　　中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟部工業(yè)局昨(17)日首度證實，全球DRAM大廠美光預(yù)計在臺投資新臺幣1，300億元，未來將落腳中部科學(xué)園區(qū)進行擴廠計劃，預(yù)計將增加逾2千個就業(yè)機會。據(jù)悉，美光鎖定中科進行新的3D封測制程，預(yù)估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區(qū)營運中心。 　　工業(yè)局表示，去年協(xié)助美光在臺擴大投資，總投資金額高達新臺幣1，300億元，也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來規(guī)劃中科擴廠計劃，將可增加2，000個以上就業(yè)機會，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。   　
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工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延

  • 　　從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。   　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào)，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計將缺貨一整年。 　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃
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為什么說中國必須建設(shè)本土存儲產(chǎn)業(yè)

  • 　　在長江存儲，晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設(shè)。現(xiàn)在我通過一個事實告訴你原因?，F(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè)，基本是韓國廠商的天下，而隨著設(shè)動設(shè)備的火熱，各種設(shè)備的爆發(fā)，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題，進而導(dǎo)致了漲價。 　　拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，部分分析師預(yù)測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤可能年增5成，來到史無前例的25兆韓圓。 　　存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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大陸存儲器的戰(zhàn)略布局

  • 　　長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。 　　回歸基本面來看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進。半導(dǎo)體的先
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TrendForce：服務(wù)器DRAM模組供不應(yīng)求，Q1報價看漲25%

  • 　　市場調(diào)查機構(gòu)TrendForce最新報告預(yù)測，服務(wù)器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報價可能攀升至少25%。 　　2017年第一季初，服務(wù)器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%，部份高密度產(chǎn)品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻，16GB模組也來到100美元。 　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現(xiàn)，服務(wù)器DRAM模組報價看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價。除此之外，服務(wù)器制造業(yè)者因擔(dān)心價格持續(xù)走揚而提前
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DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的季度。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來，2017年第一季標準型內(nèi)存價格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務(wù)器內(nèi)存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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DRAM/NAND價格回升 存儲器產(chǎn)值今年將增10%

  • 　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚，研究機構(gòu)IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
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一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元

  • 　　垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備，也無需任何新的材料或工藝?！　∠噍^于一般的DRAM，VLT內(nèi)存數(shù)組能節(jié)約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內(nèi)存單元，以及驅(qū)動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內(nèi)存數(shù)組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢，就必須在依據(jù)產(chǎn)業(yè)標準發(fā)展的成熟DR
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