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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1β dram

預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
  • 關鍵字： Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

通脹沖擊消費電子終端買氣，2022年DRAM模組廠營收年減4.6%

  • 受高通脹沖擊消費電子產品買氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應的領域不同，使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產品供應鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
  • 關鍵字： 消費電子  DRAM  模組  

三星、SK海力士拿到無限期豁免權

  • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  NAND  DRAM  半導體設備  

存儲芯片，果真回暖了

  • 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
  • 關鍵字： NAND  SSD  DRAM  

1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕

  • IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產 1β DRAM，不過研發(fā)的目標是在 2025 年量產 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
  • 關鍵字： DRAM  閃存  

1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進技術競賽仍在繼續(xù)

  • 盡管由于經濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產1β DRAM之后，計劃于2025年量產1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產，未來日本廠也有望導入EUV
  • 關鍵字： DRAM  NAND  存儲  

面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

  • 面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內需求的產品。關于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
  • 關鍵字： CHIPS法案  韓國半導體  DRAM  NAND  

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

  • IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產，已經市場去庫存效果顯現(xiàn)，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  NAND Flash  

為什么消費類DRAM無法滿足工業(yè)應用需求？

  • 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業(yè)應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發(fā)生變化，而且經常會在用戶未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
  • 關鍵字： innodisk  DRAM  

美光訂價能力升 營運露曙光

  • 內存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預期產業(yè)最壞情況已過。由于內存大廠近期積極減產，部分市場需求轉強，AI服務器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務長Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續(xù)保持自制力、預測價格有望于2023年下半轉強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價從75美元調高到
  • 關鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

存儲廠商持續(xù)減產，市場何時迎來供需平衡？

  • 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動減產，2023年三星宣布加入減產行列。不過，由于市場需求持續(xù)衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價格不斷下跌，廠商業(yè)績承壓。這一背景下，部分存儲廠商期望通過繼續(xù)減產維穩(wěn)價格，推動市場供需平衡。近日，臺灣地區(qū)《工商時報》等媒體報道，DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產策略，調整產能、降低稼動率、彈性調整產品組合和資本支出，根據(jù)客戶需求和市場變化動態(tài)調整，以應對市場疲軟，預計產能將動態(tài)調降20％以內。此前，全球市場
  • 關鍵字： 存儲廠商  DRAM  TrendForce  

3D DRAM 設計能否實現(xiàn)？

  • 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
  • 關鍵字： DRAM  

DRAM的變數(shù)

  • 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產業(yè)營收約 114.3 億美元，環(huán)比增長 20.4%，終結連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風向標，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時傳遞給整個半導體行業(yè)呢？經歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
  • 關鍵字： DRAM  

美光 1-gamma 制程內存預計 2025 年上半年在臺量產

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產品在臺灣生產，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內存模組的解決方案
  • 關鍵字： 三星  12納米  DDR5  DRAM  
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