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力晶9月營收衰退至75.19億
- DRAM大廠力晶自結(jié)9月營收新臺幣75.19億元,較上月88.88億元減少15%,累計前9月營收為675億元;力晶發(fā)言人譚仲民表示,9月營收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價疲軟的影響,隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報價回穩(wěn),標準型DRAM制程技術(shù)也逐漸轉(zhuǎn)進爾必達63納米制程,未來成本可望進一步下降。 受到DRAM現(xiàn)貨價和合約價大幅下修的影響,DRAM廠9月營收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜,而逆勢成長之外,其它各廠營收都呈現(xiàn)下滑趨勢,包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月營收都難逃衰退命運
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DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲
- 存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示,盡管下滑趨勢依舊,但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。 來自交易市場的消息稱,在十一長假結(jié)束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨,下周將進行新一輪的存貨補充。 不過inSpectrum也認為,由于零售渠道的根本需求依舊很弱,所以這種價格反彈只能是短期行為,不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格,這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
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坂本幸雄踩剎車 瑞晶擴產(chǎn)計劃喊停
- 個人計算機(PC)需求不振連累DRAM價格重挫,爾必達(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標,同時在臺灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴產(chǎn)計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴產(chǎn),屆時將依照投資比重來分配DRAM貨源,但傳出DRAM價格崩盤后,PC客戶早已溜之大吉,瑞晶的擴產(chǎn)計劃只好喊卡,然爾必達廣島廠的擴產(chǎn)進度仍將如期進行。 坂本幸雄表示,PC市場在傳統(tǒng)旺季的需求未如預(yù)期,將連累爾必達的財報獲利受到影響,但DRAM價格其實下修幅度已大
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NAND Flash價格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下,9月下旬合約價續(xù)跌,其中,32Gb芯片合約價下跌5~6%,64Gb芯片大跌 9~10%,模塊廠表示,NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線,若價格再跌,恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損,接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求,帶動NAND Flash價格止跌。 模塊廠表示,近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些,DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深,通路商補貨意愿不高,但在NAND Flas
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Castellano預(yù)測半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境再度急轉(zhuǎn)直下
- 市場研究機構(gòu)The InformatiON Network總裁RobertCastellano表示,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化,而且領(lǐng)先指標顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出,雖然2010年將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年,但好日子恐怕不多了。 Castellano預(yù)測,終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑,首當而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預(yù)言,PC銷售業(yè)績趨緩,將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負面影響,連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到?jīng)_
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三星電子第三季營業(yè)利潤43億美元 低于預(yù)期
- 據(jù)國外媒體報道,三星今天發(fā)布了第三季度財報。財報顯示,三星營業(yè)利潤為4.8萬億韓元(約合43億美元),低于分析師預(yù)期。 三星今天發(fā)表聲明稱,該公司第三季度營業(yè)利潤由去年同期的4.22萬億韓元(約合37.6億美元)增長14%至4.8萬億韓元,低于分析師預(yù)期的5.03萬億韓元。三星營收增長11%至40萬億韓元(約合356億美元)。 分析師指出,電視銷售放緩打壓了液晶面板的價格,影響了三星液晶面板和電視業(yè)務(wù)的利潤。摩根大通分析師賈斯廷·帕克(Justin Park)說,由于預(yù)計第四
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內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)
- 據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道,市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange指出, 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調(diào), DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關(guān)口, DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調(diào)至34美元,跌幅約為5.5% ,而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平,第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ,創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅,不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌, DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平,跌幅約為6% 。 現(xiàn)貨市場方面,由于廣州亞運將于11月舉辦,大陸方
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iSuppli:2010年半導(dǎo)體市場銷售有望破記錄
- 據(jù)國外媒體報道,研究機構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測,但是它仍預(yù)期年底的利潤將達到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測顯示利潤上升了32%,比先前預(yù)測的35.1%有所下降。這主要是由于對四季度銷售額預(yù)期的降低。 據(jù)該機構(gòu)表示說,今年的利潤有望比去年同期增長740億美元,比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測這將是半導(dǎo)體市場達到巔峰的一年。 產(chǎn)品利潤預(yù)期會增長43%,DRAM將會在PC市場有一個87%的強勁增長。同時,由于智能手機不斷增長的需求,無線通信市場將
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爾必達12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)
- 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》周三報道,爾必達計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片,此舉預(yù)計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米,比三星電子的最新制程更小。至目前為止,三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 報道稱呢個,爾必達已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù),能用現(xiàn)有的設(shè)備來達成更精細制程,而無需進行大規(guī)模的資本投資。 爾必達位于日本廣島的工廠,將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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甲骨文起訴美光操縱芯片價格 令Sun蒙受損失
- 甲骨文通過美國子公司在加州北區(qū)法院起訴美光科技,指控其涉嫌操縱內(nèi)存芯片價格,使Sun微系統(tǒng)付出了更高的代價。 甲骨文指控美光與其他內(nèi)存制造商勾結(jié),人為抬高DRAM(動態(tài)隨機存儲)芯片價格。訴訟書稱,在1998年至2002年間,Sun采購了總價超過20億美元的DRAM芯片。 訴訟書還稱,美國司法部指控了世界頂尖的5家DRAM制造商,其中四家今年都已認罪并認罰,但美光科技因與司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以約70億美元價格收購了Sun。 韓國芯片制造商海力士半導(dǎo)體的代理律師邁克
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣惡化 庫存修正即將發(fā)生?
- 市場研究機構(gòu)The Information Network總裁Robert Castellano表示,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化,而且領(lǐng)先指標顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出,雖然2010年將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年,但好日子恐怕不多了。 Castellano預(yù)測,終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑,首當而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預(yù)言,PC銷售業(yè)績趨緩,將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負面影響,連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到
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iSuppli:內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來首度出現(xiàn)正增長
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報告顯示,內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長,不過據(jù)iSuppli公司分析,芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB,盡管提升的幅度僅有1.2%,但這是四年以來的首次成本正增長,相比之下,2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 據(jù)分析,造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來越
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DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國電子時報報導(dǎo),DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當緊張。據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計,1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來,固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時,價格僅 在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。 D
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