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三星：左打臺積電、右攻英特爾，欲稱霸全球

  • 　　全球半導(dǎo)體經(jīng)受金融危機后正邁入新一輪的增長時期，各家市場分析公司幾乎都報道了2010年半導(dǎo)體有30%的增長，達到2900億美元。 　　半導(dǎo)體業(yè)步入新時期 　　由于半導(dǎo)體業(yè)已逼近摩爾定律的終點，業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異，使得半導(dǎo)體業(yè)正進入一個嶄新時期。新時期最明顯的特點可以歸結(jié)為增長趨緩，未來年均增長率在6%～7%;研發(fā)費用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤，大多數(shù)頂級半導(dǎo)體廠都采用外協(xié)合作方案。工業(yè)的趨勢可能會形成英特爾CPU，三星存儲器及“fabless(無生產(chǎn)線半導(dǎo)體公司)+代工
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三星35納米4Q出擊　臺DRAM廠以卵擊石

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時間點亦多落在第4季，面對產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元，較同容量DDR2價格還要低。 　　近期DRAM合約價及現(xiàn)貨價均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況，甚至
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DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線

  • 　　韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。 　　據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%

  • 　　9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》出版，涉及項目包括有：庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。 　　涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、蘋果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、愛特梅爾公司(Atmel：ATML)和其他多家企業(yè)。 　　以下內(nèi)容摘錄自《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》，專業(yè)分析師在其中討論了該板塊的前景和投資展望。 　　2005年進入德意志銀行的鮑
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升

  • 　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費用出現(xiàn)增長，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 　　美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報告顯示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 　　爾必達公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

DRAM內(nèi)存芯片成本遭遇近4年來首次上漲

  • 　　市場調(diào)研iSuppli近期發(fā)布報告稱，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲，這也引發(fā)了外界對于廠商在內(nèi)存芯片生產(chǎn)花費支出的擔(dān)憂。從2005年開始，內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價格卻達到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價格上漲幅度非常小，但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。 　　其實，二季度內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始，DRAM芯片季度生產(chǎn)成
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日圓強升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠

  • 　　日圓兌美元匯率強勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 　　日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。 　　東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。 　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內(nèi)存廠爾必達及
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三星擬以高性能、低耗電半導(dǎo)體主導(dǎo)市場

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)表示，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)等革新性行動裝置制作成實體的過程中，對高性能、低耗電半導(dǎo)體的需求也正逐漸增加，因此三星計劃以性能提升，且減少耗電量的半導(dǎo)體產(chǎn)品主導(dǎo)市場。 　　三星祭出Smart and Green Plus策略，不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導(dǎo)體，同時也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動三星的差異化解決方案。 　　做為新策略的一環(huán)，三星自2009年起便與服務(wù)器業(yè)者共同推動綠色存儲器活
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Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億

  • 　　Gartner現(xiàn)在預(yù)計今年全球半導(dǎo)體營收將達到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預(yù)計今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內(nèi)的消費者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導(dǎo)體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。 　　Gartner表示，盡管個人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預(yù)
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三星拉大DRAM制程差距　臺廠須盡速導(dǎo)入40納米

  • 　　臺灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕，在半導(dǎo)體趨勢論壇中，摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語，認為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場主流，且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力，臺系DRAM廠，包括南亞科、華亞科等，必須盡快提升50納米制程的良率，且轉(zhuǎn)進40納米制程世代，才會具有成本競爭力。 　　三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調(diào)，使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫，臺系D
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三星稱PC低迷將導(dǎo)致DRAM生產(chǎn)過剩

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星周二表示，由于全球PC市場低迷，DRAM內(nèi)存芯片將于第四季度出現(xiàn)生產(chǎn)過剩的局面。 　　臺灣復(fù)華投信(Fuh Hwa Securities Investment Trust)基金經(jīng)理約翰·酋(John Chiu)稱：“眾所周知，當(dāng)前PC市場并不景氣。如果需求不能提升，那么庫存就會增加。” 　　約翰·酋還稱：“人們都把希望寄托于中國內(nèi)地的10月長假和新年假期，如果需求有所增長，那么庫存就會有所緩解。” 　
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分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  Flash  

DRAM銷售將于后年衰退近三成

  • 　　國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變，至2012年銷售恐將衰退近三成。 　　顧能表示，由于初期PC市場表現(xiàn)強勁和供應(yīng)減少，使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲，今年收益逼近420億美元，較預(yù)期獲利高出82.5%，出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變，2012年的銷售恐將衰退29%。 　　不過，快閃存儲器市場在智能型手機和平版媒體強勁的銷售帶動下，收益至2013年皆會維持原有的成長。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  閃存  

分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM   Flash  

臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

  • 　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。 　　
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  Flash  
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