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Intel 14代酷?；?qū)魯√O(píng)果M2 新工藝功耗降40%

  • Intel前不久在VLSI大會(huì)上介紹了Intel的“4nm EUV”工藝，這兩天媒體曝出了更多的料，HP高性能庫(kù)的密度可達(dá)1.6晶體管/mm2，是目前Intel 7工藝的2倍，高于臺(tái)積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近臺(tái)積電3nm的2.08億晶體管/mm2。與Intel 7工藝相比，在同樣的功耗下“4nm EUV”工藝頻率提升21.5%，功耗降低了40%。改用EUV光刻機(jī)之后，“4nm EUV”工藝良率也高了，生產(chǎn)制造也更簡(jiǎn)單了，不用多次曝光了，工藝步驟減少了5%，光罩?jǐn)?shù)減少了20%，也
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14代酷睿介紹

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