Intel 14代酷睿或?qū)魯√O果M2 新工藝功耗降40%

Intel前不久在VLSI大會(huì)上介紹了Intel的“4nm EUV”工藝，這兩天媒體曝出了更多的料，HP高性能庫的密度可達(dá)1.6晶體管/mm2，是目前Intel 7工藝的2倍，高于臺(tái)積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近臺(tái)積電3nm的2.08億晶體管/mm2。

與Intel 7工藝相比，在同樣的功耗下“4nm EUV”工藝頻率提升21.5%，功耗降低了40%。改用EUV光刻機(jī)之后，“4nm EUV”工藝良率也高了，生產(chǎn)制造也更簡單了，不用多次曝光了，工藝步驟減少了5%，光罩?jǐn)?shù)減少了20%，也不需要多次對齊，這都提高了產(chǎn)能，降低了成本。

綜合來看，“4nm EUV”工藝在能效上的進(jìn)步會(huì)更明顯，功耗降低了40%，有外媒指出這一點(diǎn)就足以讓首發(fā)“4nm EUV”工藝的14代酷睿Meteor Lake處理器擊敗M2，這事意義重大。盡管絕對性能上蘋果的ARM處理器還是比不過x86處理器，但是蘋果重點(diǎn)是低功耗下的性能，能效上讓x86處理器汗顏，導(dǎo)致Intel壓力很大，現(xiàn)在“4nm EUV”工藝來了，Intel有望扳回一局。