Intel 14代酷睿或?qū)魯√O果M2 新工藝功耗降40%
Intel前不久在VLSI大會(huì)上介紹了Intel的“4nm EUV”工藝,這兩天媒體曝出了更多的料,HP高性能庫的密度可達(dá)1.6晶體管/mm2,是目前Intel 7工藝的2倍,高于臺(tái)積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2,接近臺(tái)積電3nm的2.08億晶體管/mm2。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202206/435168.htm與Intel 7工藝相比,在同樣的功耗下“4nm EUV”工藝頻率提升21.5%,功耗降低了40%。改用EUV光刻機(jī)之后,“4nm EUV”工藝良率也高了,生產(chǎn)制造也更簡單了,不用多次曝光了,工藝步驟減少了5%,光罩?jǐn)?shù)減少了20%,也不需要多次對齊,這都提高了產(chǎn)能,降低了成本。
綜合來看,“4nm EUV”工藝在能效上的進(jìn)步會(huì)更明顯,功耗降低了40%,有外媒指出這一點(diǎn)就足以讓首發(fā)“4nm EUV”工藝的14代酷睿Meteor Lake處理器擊敗M2,這事意義重大。盡管絕對性能上蘋果的ARM處理器還是比不過x86處理器,但是蘋果重點(diǎn)是低功耗下的性能,能效上讓x86處理器汗顏,導(dǎo)致Intel壓力很大,現(xiàn)在“4nm EUV”工藝來了,Intel有望扳回一局。
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