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臺(tái)積16納米試產(chǎn)海思處理器明年7月量產(chǎn)

  • 臺(tái)積電昨(12)日宣布,完成16納米主流制程FinFET+(鰭式場效晶體管強(qiáng)化版)全球首顆網(wǎng)通芯片及手機(jī)應(yīng)用處理器試產(chǎn),預(yù)定本月完成所有可靠性試驗(yàn),明年7
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臺(tái)積電16納米工藝縮小與三星差距 麒麟950仍難逃厄運(yùn)?

  •   臺(tái)積電于上周五宣布,期待已久的16nm工藝正式開始量產(chǎn),并且終于縮小了與三星、英特爾在半導(dǎo)體工藝上的差距。預(yù)計(jì),蘋果A9處理器將成為首批臺(tái)積電16nm工藝的產(chǎn)品,Nvdia、聯(lián)發(fā)科和華為的產(chǎn)品可能要今年晚些時(shí)候才能問世。   臺(tái)積電還公布了其最新工藝的客戶名單,例如,NVIDIA、LG、聯(lián)發(fā)科、飛思卡爾、Avago等產(chǎn)品,不過令人驚訝的是,蘋果并沒有出現(xiàn)在這份名單中。因?yàn)?,日前蘋果要求三星和臺(tái)積電給A9處理器降價(jià),三星已經(jīng)妥協(xié),而臺(tái)積電則堅(jiān)持不做讓步,這可能導(dǎo)致蘋果進(jìn)一步削減其訂單量,二者的關(guān)系也會(huì)
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臺(tái)積16納米下季量產(chǎn) 份額沖

  •   臺(tái)積電共同執(zhí)行長劉德音昨(16)日表示,物聯(lián)網(wǎng)及云端大數(shù)據(jù)運(yùn)算相關(guān)晶片,是驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電下波成長動(dòng)能。   臺(tái)積電去年拿下全球晶圓代工過半市占,伴隨16奈米下季開始量產(chǎn),市占率將再向上提升,明年即使只列計(jì)16奈米產(chǎn)能,也將穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭。   劉德音強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電的16奈米制程,因電晶體的架構(gòu),遠(yuǎn)比競爭對手的14奈米效能還快10%,臺(tái)積電非常有信心16奈米會(huì)贏得客戶采用,預(yù)估今年第3季開始量產(chǎn),單季營收占比會(huì)比去年量產(chǎn)20奈米時(shí)增幅還快,明年是臺(tái)積電穩(wěn)坐全球晶圓龍頭的主力制程。   至于10奈米
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臺(tái)積電InFO封測延后一年 搭配16納米奪蘋果大單

  •   臺(tái)積電內(nèi)部全力醞釀在16納米制程搶回蘋果(Apple)處理器芯片訂單,決定將規(guī)劃許久的InFO(Integrated Fan-out)封測計(jì)劃全面延后一年上線,寄望2016年搭配16納米制程,全面拿回蘋果下世代A10處理器芯片訂單。然部分IC設(shè)計(jì)客戶認(rèn)為,InFO成本仍過高,恐難與傳統(tǒng)芯片尺寸覆晶封裝(FC CSP)技術(shù)匹敵,力促臺(tái)積電再度端出Cost-down版本,避免市場叫好不叫座。不過,相關(guān)消息仍有待臺(tái)積電進(jìn)一步證實(shí)。   臺(tái)積電封測計(jì)劃原本布局3D IC技術(shù),先嘗試推出2.5D封測技術(shù)CoW
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臺(tái)積最快后年 供16納米InFO封裝

  •   臺(tái)積電宣布斥資8500萬美元(相當(dāng)26億臺(tái)幣)買下高通龍?zhí)稄S、擬跨足高階封測域。對此,港系外資出具報(bào)告指出,臺(tái)積應(yīng)會(huì)將這座新廠做為發(fā)展InFO(Integrated fan-out)晶圓級尺寸封裝(Wafer-level packaging)的基地。   且若良率改善順暢,臺(tái)積預(yù)計(jì)最快2016年就可望提供16納米制程的InFO封裝服務(wù)。臺(tái)積股價(jià)因短線漲多壓抑,今小跌0.5元。   該港系外資分析,相較于其它先進(jìn)封裝解決方案,InFO可提供更佳的效能表現(xiàn),以及更低的價(jià)格與功耗。因此格外適用于行動(dòng)裝置
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臺(tái)積電完成16納米手機(jī)芯片 能耗降低50%

  •   臺(tái)積電宣告完成16納米手機(jī)芯片,16納米制程處理器將會(huì)在明年正式應(yīng)用,華為已經(jīng)成為首批客戶之一。    ?   臺(tái)積電完成16納米手機(jī)芯片 能耗降低50%(圖片來自Bing)   據(jù)悉,16FF+的制造工藝本月經(jīng)歷了質(zhì)量與可靠性測試,可支持ARM Cortex-A57核心運(yùn)行至2.3GHz主頻,在運(yùn)行日常任務(wù)時(shí)A57核心與A53核心功耗僅為75mW。與前代20納米產(chǎn)品相比,速度提升40%,能耗降低50%。   臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家(音譯)透露,將于2015年第二季度或第三季度
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臺(tái)積16納米 搶快創(chuàng)紀(jì)錄

  •   臺(tái)積電甫于今年第2季完成20納米量產(chǎn),依臺(tái)積電昨(12)日宣布16納米FinFET+制程明年7月量產(chǎn)的時(shí)間進(jìn)程推算,創(chuàng)下全球晶圓代工業(yè)在一年內(nèi)就完成一項(xiàng)新制程量產(chǎn)的新紀(jì)錄,也增強(qiáng)臺(tái)積電在未來二年內(nèi)在10納米超越英特爾的信心。   臺(tái)積電能締造這項(xiàng)驚人的成績,除了董事長張忠謀親自率領(lǐng)「夜鷹計(jì)畫」成員,日以繼夜拚進(jìn)度之外,先前臺(tái)積電甘愿冒先切入20納米制程、再導(dǎo)入16納米,可能落后三星直接導(dǎo)入14納米制程的風(fēng)險(xiǎn),等到獲得20納米量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)之后,大量復(fù)制至16納米制程、縮短學(xué)習(xí)曲線,更是關(guān)鍵。   臺(tái)積電
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臺(tái)積電以16nm制程取得壓倒性勝利

  •   日前,全球首顆以16納米鰭式場效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片成果產(chǎn)出,這是由臺(tái)積電幫助海思半導(dǎo)體雙方合作后的成果。根據(jù)設(shè)備廠透露,這個(gè)成果表明了臺(tái)積電的16納米技術(shù)在面對英特爾以及三星的強(qiáng)力壓力下,已取得壓倒性的勝利。   此外,臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn),目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾,屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾,將讓臺(tái)積電稱冠全球,并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。   臺(tái)積電的這項(xiàng)成就,是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠
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14/16納米FinFET制程

  •   行動(dòng)裝置如智慧型手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用領(lǐng)域,對于半導(dǎo)體晶片的需求走到超低功耗,制程技術(shù)從28奈米制程,到20奈米制程,將于2015年進(jìn)入第一代3D設(shè)計(jì)架構(gòu)的FinFET制程,也就是14/16奈米世代。   臺(tái)積電2015年下半即將量產(chǎn)16奈米世代,英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14奈米制程世代,英特爾早一些量產(chǎn),之后是三星,GlobalFoundries制程技術(shù)將屬于三星陣營。   臺(tái)積電因?yàn)闉榇罂蛻籼O果生產(chǎn)20奈米制程晶片,因此16奈
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海思量產(chǎn),臺(tái)積16納米超前三星英特爾

  •   臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場效晶體管(FinFET)的安謀(ARM)架構(gòu)網(wǎng)通處理器,設(shè)備廠透露,這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下,已取得壓倒性勝利。   此外,臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn),目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾,屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾,將讓臺(tái)積電稱冠全球,并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。   臺(tái)積電的這項(xiàng)成就,是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露,針對臺(tái)積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)
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臺(tái)積電資本支出 要砸910億

  •   臺(tái)積電沖刺20/16納米先進(jìn)制程,同時(shí)建置先進(jìn)封測并提升多種特殊制程產(chǎn)能,昨(12)日董事會(huì)大手筆核準(zhǔn)910.3億元資本支出預(yù)算,加速搶食智能行動(dòng)裝置以及物網(wǎng)聯(lián)商機(jī)。   臺(tái)積電表示,今年資本支出預(yù)估約95億到100億美元(約新臺(tái)幣2,850億至3,000億元),昨天董事會(huì)核準(zhǔn)的910.3億元,主要用于擴(kuò)充先進(jìn)程所需的潔凈室、廠房、設(shè)備,以及第4季研發(fā)預(yù)算與經(jīng)常性資本支出預(yù)算,并轉(zhuǎn)置部分邏輯制程產(chǎn)能作為多種特殊制程產(chǎn)能。   臺(tái)積電稍早于法說會(huì)表示,明年資本支出仍將高于今年的95億到100
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三星搶單 臺(tái)積16納米失先機(jī)

  •   臺(tái)積電16納米制程遭遇強(qiáng)敵三星以14納米搶下大客戶高通部分訂單,讓臺(tái)積電明年在16納米市占恐低于勁敵;臺(tái)積電內(nèi)部承認(rèn),這只是小亂流,預(yù)估2016年將搶回市占,重拾主導(dǎo)權(quán),并于2017年拉開差距。   張忠謀對自家技術(shù)維持領(lǐng)先非常有信心,他說,28納米制程是驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電過去三年來業(yè)績成長主要?jiǎng)幽?20納米及16納米制程技術(shù),將是帶動(dòng)公司未來三年業(yè)績成長的主要?jiǎng)恿Α?   臺(tái)積電昨天法說會(huì)中,法人大多聚焦,臺(tái)積電16納米市占未來是否如20納米,維持全球領(lǐng)先趨勢。   面對法人追問,明年16納
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臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者大動(dòng)作加碼投資 產(chǎn)生虹吸效應(yīng)

  •   據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)消息,晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電,以及封測雙雄日月光、矽品近期都大動(dòng)作加碼調(diào)高資本支出,并擴(kuò)編人力,透露景氣強(qiáng)勁復(fù)蘇之余,也代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者在全球產(chǎn)業(yè)地位重要性愈來愈高。   據(jù),在臺(tái)積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴(kuò)大產(chǎn)能建置下,已掀起全球半導(dǎo)體業(yè)一股強(qiáng)大的虹吸效應(yīng)。除了既有的無晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司提高對臺(tái)制造及后段封測依賴,連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺(tái)灣。   半導(dǎo)體設(shè)備廠指出,臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)在火車頭臺(tái)積電的帶動(dòng)之下,已經(jīng)建構(gòu)成為
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臺(tái)灣半導(dǎo)體廠下重本 筑起高墻

  •   晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電,以及封測雙雄日月光、矽品近期都大動(dòng)作加碼調(diào)高資本支出,并擴(kuò)編人力,透露景氣強(qiáng)勁復(fù)蘇之余,也代表臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者在全球產(chǎn)業(yè)地位重要性愈來愈高,已筑起同業(yè)難以跨越的高墻。   在臺(tái)積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴(kuò)大產(chǎn)能建置下,已掀起全球半導(dǎo)體業(yè)一股強(qiáng)大的虹吸效應(yīng)。除了既有的無晶圓廠IC設(shè)計(jì)公司提高對臺(tái)制造及后段封測依賴,連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺(tái)灣。   半導(dǎo)體設(shè)備廠指出,臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)在火車頭臺(tái)積電的帶動(dòng)之下,已經(jīng)建構(gòu)成為完整的
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臺(tái)積電、創(chuàng)意攜手16納米制程報(bào)佳音

  •   制程技術(shù)又上新臺(tái)階。16nm!各種高速網(wǎng)路架構(gòu)與伺服器或?qū)⑹紫仁芤妗?/li>
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16納米介紹

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