臺積16納米 搶快創(chuàng)紀錄

　　臺積電甫于今年第2季完成20納米量產(chǎn)，依臺積電昨(12)日宣布16納米FinFET+制程明年7月量產(chǎn)的時間進程推算，創(chuàng)下全球晶圓代工業(yè)在一年內(nèi)就完成一項新制程量產(chǎn)的新紀錄，也增強臺積電在未來二年內(nèi)在10納米超越英特爾的信心。

　　臺積電能締造這項驚人的成績，除了董事長張忠謀親自率領(lǐng)「夜鷹計畫」成員，日以繼夜拚進度之外，先前臺積電甘愿冒先切入20納米制程、再導(dǎo)入16納米，可能落后三星直接導(dǎo)入14納米制程的風(fēng)險，等到獲得20納米量產(chǎn)經(jīng)驗之后，大量復(fù)制至16納米制程、縮短學(xué)習(xí)曲線，更是關(guān)鍵。

　　臺積電這個「奇招」，也讓張忠謀先前信心滿滿地宣示，臺積電將在2016年于16納米領(lǐng)域重獲領(lǐng)導(dǎo)地位，同時16與20納米制程市占率總和是「年年的絕對領(lǐng)先」。

　　臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音坦言，臺積電在20納米制程的成功量產(chǎn)經(jīng)驗與成果，為16納米FinFET及16 FinFET+打通任督二脈，也將是臺積電提供客戶芯片更具競爭力及產(chǎn)品快速上市的利器。

　　臺積電指出，16 FinFET+速度增快40%，在相同速度下，功耗降低50%，可支持下一世代高階行動運算、網(wǎng)通及消費性產(chǎn)品。