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英特爾、美光聯(lián)合開發(fā)出高密度低成本20nm閃存

  • 　　英特爾和美光科技( Micron Technology)日前宣布，已開發(fā)出128Gb的NAND閃存，新元件采用了針對閃存改良的20nm工藝制程，將high-k金屬柵極(HKMG)晶體管包含在內(nèi)。 　　兩家公司聲稱，他們開發(fā)出了全球首款獨立型128Gb存儲器，并表示將立即使用相同的制程量產(chǎn)20nm的64Gb NAND閃存元件，而新的128Gb元件預(yù)計2012上半年量產(chǎn)。 　　英特爾與美光并未描述20nm制程細節(jié)，而其他存儲器制造目前的制程技術(shù)也進展到20~29nm之間。過去曾有報導(dǎo)指出英特爾與美光采
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20nm閃存介紹

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