英特爾、美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)出高密度低成本20nm閃存

　　英特爾和美光科技( Micron Technology)日前宣布，已開(kāi)發(fā)出128Gb的NAND閃存，新元件采用了針對(duì)閃存改良的20nm工藝制程，將high-k金屬柵極(HKMG)晶體管包含在內(nèi)。

　　兩家公司聲稱，他們開(kāi)發(fā)出了全球首款獨(dú)立型128Gb存儲(chǔ)器，并表示將立即使用相同的制程量產(chǎn)20nm的64Gb NAND閃存元件，而新的128Gb元件預(yù)計(jì)2012上半年量產(chǎn)。

　　英特爾與美光并未描述20nm制程細(xì)節(jié)，而其他存儲(chǔ)器制造目前的制程技術(shù)也進(jìn)展到20~29nm之間。過(guò)去曾有報(bào)導(dǎo)指出英特爾與美光采用25nm制程開(kāi)發(fā)64Gb的NAND閃存。

　　新元件是由英特爾與美光的合資公司IM Flash Technologies(IMFT)開(kāi)發(fā)。盡管兩家公司并未說(shuō)明新元件的每個(gè)單元包含多少字節(jié)，但這款128Gb的存儲(chǔ)器在每個(gè)單元中使用了多層感測(cè)(multilevel sensing)技術(shù)。兩家公司同時(shí)表示，新元件也首次使用了平面單元架構(gòu)，藉由在NAND生產(chǎn)過(guò)程中整合HKMG柵極堆疊，克服了標(biāo)準(zhǔn)浮柵NAND閃存上的縮放限制。英特爾已經(jīng)在數(shù)個(gè)邏輯制程節(jié)點(diǎn)中使用過(guò)HKMG柵極堆疊晶體管，但相信這是首次應(yīng)用在存儲(chǔ)器元件中。

　　英特爾與美光表示，他們將于12月量產(chǎn)20nm的64Gb NAND閃存，并預(yù)估2012年可轉(zhuǎn)換至量產(chǎn)128Gb元件。128Gb元件的樣品將在明年1月就緒，緊接著于明年上半年量產(chǎn)。

　　新的128Gb存儲(chǔ)器可支持智能手機(jī)、平板電腦和固態(tài)硬盤等應(yīng)用中333MT/s的傳輸要求。而采用8個(gè)128Gb晶粒的存儲(chǔ)器模組將可提供Terabit等級(jí)的儲(chǔ)存容量。

　　“很高興見(jiàn)到英特爾-美光的合資公司再次領(lǐng)先推出高密度、低成本的20nm NAND元件，”英特爾副總裁暨非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案部門總經(jīng)理Rob Crooke說(shuō)。