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全球首款2nm芯片!曝三星Exynos 2600進(jìn)展順利

  • 2月8日消息,剛剛上市不久的三星Galaxy S25系列在全球范圍內(nèi)使用高通驍龍8 Elite芯片,因?yàn)槿亲约旱腅xynos 2500 SoC存在良率問題。據(jù)媒體報(bào)道,三星電子為下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600投入了大量資源,以確保其按時(shí)量產(chǎn)。報(bào)道指出,Exynos 2600使用三星2nm工藝制程,試生產(chǎn)良率約為30%左右,高于內(nèi)部預(yù)期,該公司計(jì)劃在下半年進(jìn)一步穩(wěn)定Exynos 2600的量產(chǎn)工藝,Q4開始量產(chǎn),明年1月登場(chǎng)的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載,如果計(jì)劃順利實(shí)施的話,Exynos 2
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三星回應(yīng):“Exynos 2600 芯片被取消”是毫無根據(jù)的謠言

  • 11 月 27 日消息,三星發(fā)言人昨日(11 月 26 日)通過科技媒體?Android?Headline 發(fā)布聲明:“所謂的 Exynos 2600 芯片取消量產(chǎn)傳聞并不屬實(shí),是毫無根據(jù)的謠言”。IT之家曾于 11 月 25 日?qǐng)?bào)道,消息源 @Jukanlosreve 在 X 平臺(tái)曝料后,包括 Gizmochina 在內(nèi)的多家主流媒體也跟進(jìn)報(bào)道,消息稱從韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)渠道獲悉,三星正減少 2025 年的訂單,因此推測(cè)三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計(jì)劃。此前消息稱三
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三星 Exynos 2600芯片前景堪憂:良率挑戰(zhàn)嚴(yán)峻,有被取消量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)

  • 11 月 25 日消息,消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文,曝料稱從韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)渠道獲悉,三星正減少 2025 年的訂單,因此推測(cè)三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計(jì)劃。此前援引 DigiTimes 報(bào)道,稱 3nm 工藝上遇到的困境,并沒有擊垮三星,反而讓三星“越挫越勇”,正積極布局 2nm 芯片,力圖在 2026 年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)反彈。消息稱三星正積極爭(zhēng)取來自高通和英偉達(dá)的大規(guī)模訂單,目標(biāo)是 2026 年初量產(chǎn)。而在此之前,三星計(jì)劃在 2025
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2023年P(guān)CT國(guó)際專利申請(qǐng)量排名:華為蟬聯(lián)第一

  • 據(jù)聯(lián)合國(guó)官方公眾號(hào),世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)發(fā)布的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,在2023年,中國(guó)和美國(guó)仍是國(guó)際專利體系的兩個(gè)最大用戶,但其提交的跨境專利申請(qǐng)量均同比出現(xiàn)下降。中國(guó)的華為技術(shù)有限公司、韓國(guó)的三星電子和美國(guó)的高通公司是2023年產(chǎn)權(quán)組織國(guó)際專利體系的全球領(lǐng)先用戶,同時(shí)印度創(chuàng)新者的專利申請(qǐng)活動(dòng)量增長(zhǎng)了近50%。數(shù)據(jù)顯示,通過產(chǎn)權(quán)組織《專利合作條約》(PCT)體系提交的申請(qǐng)量14年來首次下降了1.8%。中國(guó)仍是最大的來源國(guó),有69610件申請(qǐng),同前一年相比略微下降了0.6%。這是自2002年以來中國(guó)的申
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VIAVI推出從實(shí)驗(yàn)室、生產(chǎn)到外場(chǎng)的高速網(wǎng)絡(luò)測(cè)試解決方案,鞏固光纖領(lǐng)導(dǎo)地位

  • VIAVI Solutions公司近日推出一系列產(chǎn)品和服務(wù),致力于在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、確認(rèn)和制造、光纖監(jiān)測(cè)和檢驗(yàn)的生產(chǎn)生命周期中的所有階段,簡(jiǎn)化并加速高速網(wǎng)絡(luò)測(cè)試。?通過推出這些新產(chǎn)品,VIAVI進(jìn)一步壯大了自身堪稱業(yè)界最完整的測(cè)試測(cè)量解決方案產(chǎn)品組合。借助此,可在如今的實(shí)驗(yàn)室、生產(chǎn)和制造環(huán)境中,對(duì)未來的網(wǎng)絡(luò)展開測(cè)試,包括800G傳輸和下一代協(xié)議測(cè)試。·? ?VIAVI ONT 800G FLEX DCO 模塊——業(yè)界首款完全集成型測(cè)試產(chǎn)品,可用于400G?CFP2-DCO
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2600-PCT-x/4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配置(二)

  • 吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀配置是完整的特性分析工具,包括功率器件分析所需的主要要素。測(cè)量通道包括吉時(shí)利數(shù)字源表reg;源測(cè)量單元(SMU)和或
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2600-PCT-x/4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配置(三)

  • 1用于提取參數(shù)的測(cè)試方法。僅列出典型MOSFET,其他器件使用的方法類似。22657A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。32636A型數(shù)字源表或4210
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用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試

  • CMOS集成電路(CMOS IC)和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)(或“待機(jī)”)電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過程被稱為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)
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使用基于TSP的3700系列開關(guān)/萬用表和2600系列源表優(yōu)化開關(guān)測(cè)量

  • 吉時(shí)利儀器于2005年發(fā)布了配備板載測(cè)試腳本處理器(TSPTM)的測(cè)試和測(cè)量?jī)x器——首款2600系列源表。TSP基于消息的編程很像SCPI,還具有通過用戶定義的測(cè)試腳本實(shí)現(xiàn)測(cè)試序列/流的控制、決策和儀器自我管理等
  • 關(guān)鍵字: TSP    3700    萬用表    2600    開關(guān)測(cè)量  

2600-PCT-x/4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配置

  • 可配置功率電平 :ndash; From 200V to 3kVndash; From 1A to 100Abull; 動(dòng)態(tài)范 圍寬:ndash; From mu;V to 3kVndash; From fA to 100Abull; 電容-電壓方法:ndash; plusmn;400V多 頻C-Vndash; 200V斜 坡速率
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中國(guó)PCT國(guó)際專利有兩成是華為中興創(chuàng)造

  •   近日,華為公司在美國(guó)和中國(guó)對(duì)三星公司提起知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟,要求三星公司就其知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)行為對(duì)華為進(jìn)行賠償,成為最近熱議焦點(diǎn)。此次華為訴三星事件表明,中國(guó)的一些專利也開始在其他市場(chǎng)遭到侵犯,這意味著,中國(guó)正逐漸成為知識(shí)產(chǎn)權(quán)大國(guó),但在為這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)到來感到高興時(shí),一些專家認(rèn)為,中國(guó)在專利質(zhì)量和結(jié)構(gòu) 分布上,還存在一些瑕疵和爭(zhēng)議。   上海市知識(shí)產(chǎn)權(quán)局局長(zhǎng)呂國(guó)強(qiáng)舉例說,從知識(shí)產(chǎn)權(quán)的數(shù)量來講,中國(guó)現(xiàn)在已成為一個(gè)大國(guó)。不管是專利也好,商標(biāo)也好,商標(biāo)方面我們已經(jīng)是全球連續(xù)14年全球第一。但在專利的一些核心技術(shù)方面,跟
  • 關(guān)鍵字: PCT  華為  

中國(guó)PCT國(guó)際專利有兩成是華為、中興創(chuàng)造

  •   近日,華為公司在美國(guó)和中國(guó)對(duì)三星公司提起知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟,要求三星公司就其知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)行為對(duì)華為進(jìn)行賠償,成為最近熱議焦點(diǎn)。   此次華為訴三星事件表明,中國(guó)的一些專利也開始在其他市場(chǎng)遭到侵犯,這意味著,中國(guó)正逐漸成為知識(shí)產(chǎn)權(quán)大國(guó),但在為這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)到來感到高興時(shí),一些專家認(rèn)為,中國(guó)在專利質(zhì)量和結(jié)構(gòu)分布上,還存在一些瑕疵和爭(zhēng)議。   上海市知識(shí)產(chǎn)權(quán)局局長(zhǎng)呂國(guó)強(qiáng)舉例說,從知識(shí)產(chǎn)權(quán)的數(shù)量來講,中國(guó)現(xiàn)在已成為一個(gè)大國(guó)。不管是專利也好,商標(biāo)也好,商標(biāo)方面我們已經(jīng)是全球連續(xù)14年全球 第一。但在專利的一些核心技術(shù)
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直下式背光續(xù)拼成本 封裝廠轉(zhuǎn)打PCT高性價(jià)比

  •   大尺寸背光用LED價(jià)格下滑態(tài)勢(shì)不變,主打成本優(yōu)勢(shì)的直下式LEDTV2014年滲透率將持續(xù)拉升。EMC封裝支架挾著驅(qū)動(dòng)功率范圍達(dá)1-3W優(yōu)勢(shì),主導(dǎo)中功率至中高功率市場(chǎng),并且是直下式機(jī)種采用晶片大宗。不過,隨著PCT支架材料改進(jìn),采用PCT支架的LED驅(qū)動(dòng)功率一舉提升至1-1.2W,業(yè)者也在成本考量下,推出用于直下式背光的PCT產(chǎn)品,欲以高性價(jià)比優(yōu)勢(shì)突圍。   EMC(熱固性環(huán)氧樹酯)支架具有通高電流、抗高溫、抗UV等優(yōu)勢(shì),采用EMC支架的LED驅(qū)動(dòng)功率可達(dá)1-3W,是目前直下式背光采用主流。不過,
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中功率LED需求“發(fā)燙” PCT支架搶食中功率市場(chǎng)大餅

  •   隨著LED照明應(yīng)用的成熟,中功率LED需求發(fā)燙,LED封裝廠近年來積極導(dǎo)入適用于中高功率的EMC (熱固性環(huán)氧樹酯)支架,但也有業(yè)者指出,EMC支架制程與過去PPA (熱塑性塑膠)差異較大,從設(shè)備建置的角度來看,業(yè)者朝PCT(聚對(duì)苯二甲酸己二甲醇酯)的意愿較高,據(jù)悉,采用PCT支架的LED目前已over-drive至1.5W,并正朝向2W前進(jìn)。   EMC支架無疑是2013年封裝產(chǎn)業(yè)的一大焦點(diǎn),EMC支架由過去用于1-2W LED快速發(fā)展至2-3W LED,加上價(jià)格加速下滑,同步威脅過去用于小功率的
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隧道可編程序控制器PCT在高速公路隧道群上的應(yīng)用

共19條 1/2 1 2 »

2600-pct-x4200-pct-x參數(shù)曲線跟蹤儀配介紹

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