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中芯國際推38納米NAND閃存工藝制程

  • 　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn)NAND產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度NAND閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　NAND閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領(lǐng)域?？蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動串行外設接口(SPI)NAND市
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2010決勝年　ASML 主攻38納米、EUV設備

  • 　　全球最大半導體微顯影設備業(yè)者ASML表示，目前客戶訂單增加相當多，但主是來自半導體業(yè)者制程微縮而非產(chǎn)能擴充的需求，半導體業(yè)者仍持續(xù)微縮半導體制程，摩爾定律預料將持續(xù)延續(xù)。以目前ASML最先進的浸潤式微顯影機種來看，新一代的機種NXT 1950i 也已于2009年下半出貨，未來將快速增加出貨，同時深紫外光(EUV)也至少囊括5套客戶訂單，對ASML來說2010年將是極重要的一年。 　　ASML NXT技術(shù)平臺資深經(jīng)理Frank van de Mast指出，XT1900Hi的下一代機種NXT 1950i
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38納米介紹

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