新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 2010決勝年 ASML 主攻38納米、EUV設(shè)備

2010決勝年 ASML 主攻38納米、EUV設(shè)備

作者: 時(shí)間:2009-10-12 來源:DigiTimes 收藏

  全球最大半導(dǎo)體微顯影設(shè)備業(yè)者表示,目前客戶訂單增加相當(dāng)多,但主是來自半導(dǎo)體業(yè)者制程微縮而非產(chǎn)能擴(kuò)充的需求,半導(dǎo)體業(yè)者仍持續(xù)微縮半導(dǎo)體制程,摩爾定律預(yù)料將持續(xù)延續(xù)。以目前最先進(jìn)的浸潤式微顯影機(jī)種來看,新一代的機(jī)種NXT 1950i 也已于2009年下半出貨,未來將快速增加出貨,同時(shí)深紫外光(EUV)也至少囊括5套客戶訂單,對來說2010年將是極重要的一年。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/98762.htm

  ASML NXT技術(shù)平臺資深經(jīng)理Frank van de Mast指出,XT1900Hi的下一代機(jī)種NXT 1950i目前可因應(yīng)制程技術(shù),但在疊影技術(shù)上可以做到更為精密的程度達(dá)2納米,而且產(chǎn)出速度更快,1小時(shí)產(chǎn)出可達(dá)175~200片晶圓。外界預(yù)測,采用ASML NXT 1950i最精密的浸潤式顯影機(jī)種多半的客戶訂單應(yīng)該來自存儲器晶圓廠。

  此外,在頗受業(yè)界矚目的深紫外光(EUV)方面,ASML所采用的Cymer光源已可以從20瓦提高到75瓦,達(dá)到1小時(shí)生產(chǎn)60片晶圓不成問題,預(yù)計(jì)可在2010年達(dá)到此目標(biāo),并計(jì)劃在2014年達(dá)到每小時(shí)180片晶圓的高生產(chǎn)率。

  EUV 微顯影系統(tǒng)副總Ron Kool指出,EUV平臺NXE 3100預(yù)期2010年可以做到27納米,ASML對于EUV有相當(dāng)完整、積極的技術(shù)藍(lán)圖規(guī)畫,預(yù)期在NXE 3100之后相繼推出NXE3300B等后續(xù)機(jī)種持續(xù)提高生產(chǎn)力,最快預(yù)計(jì)將在2012年第1季問世,足以因應(yīng)22~16納米以下制程所需。

  ASML 目前至少已經(jīng)確保從6家客戶端獲得來自5套EUV系統(tǒng)訂單,包括三星電子(Samsung Electronics)及超微(AMD)晶圓生產(chǎn)部門都采用EUV開發(fā)新產(chǎn)品,且ASML與三星的技術(shù)藍(lán)圖幾乎緊密相關(guān)。

  ASML 研發(fā)副總Jos Benschop亦表示,盡管目前業(yè)界在雙重曝光顯影之后也有提出三重曝光(triple patterning)技術(shù),技術(shù)上是可行的,不過他認(rèn)為更重要的是經(jīng)濟(jì)規(guī)模能否降低成本,以目前深紫外光所能達(dá)到的技術(shù)突破,在成本上已經(jīng)可以因應(yīng)量產(chǎn),使三重曝光顯影技術(shù)更有競爭力。



關(guān)鍵詞: ASML 38納米 EUV設(shè)備

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉