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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d堆疊

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲器
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力積電多層晶圓堆疊技術(shù)獲AMD等大廠采用

  • 自力積電官網(wǎng)獲悉，力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù)獲AMD等美、日大廠采用，將結(jié)合一線晶圓代工廠的先進(jìn)邏輯制程，開發(fā)高帶寬、高容量、低功耗的3D AI芯片，發(fā)揮3D晶圓堆疊的優(yōu)勢，為大型語言模型人工智能（LLM_AI）應(yīng)用及AI PC提供低成本、高效能的解決方案。同時針對GPU與HBM（高帶寬內(nèi)存）的高速傳輸需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer（中間層），也通過國際大廠認(rèn)證，將在該公司銅鑼新廠導(dǎo)入量產(chǎn)。
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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

  • 系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設(shè)計(jì)理念是實(shí)現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓?fù)渲械陌霕騇OSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計(jì)、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，為電源SiP的設(shè)計(jì)提供參考。
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英特爾發(fā)表首款3D堆疊處理器 針對PC平臺優(yōu)化性能

  • 英特爾推出代號「Lakefield」的Intel Core處理器，并搭載Intel Hybrid Technology。Lakefield處理器運(yùn)用英特爾的Foveros 3D封裝技術(shù)，及混合型CPU架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)充性的功率和效能，在生產(chǎn)力與內(nèi)容創(chuàng)作上，為一提供Intel Core效能和完整Windows兼容性的產(chǎn)品里，尺寸最小并可打造超輕巧和創(chuàng)新的外形設(shè)計(jì)。英特爾公司副總裁暨筆電用戶平臺總經(jīng)理Chris Walker表示，搭載英特爾Hybrid Technology的Intel Core處理器是英特爾實(shí)
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“摩爾定律”的延續(xù) 英特爾將開發(fā)出3D堆疊技術(shù)

  • 　　半個世紀(jì)前，英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出“摩爾定律”(Moore's Law)，從這以后，芯片廠商們多遵從這一定律生產(chǎn)芯片。而近年來，“摩爾定律”被其他廠商唱衰，本該是芯片“鼻祖”的英特爾也在技術(shù)上漸漸落后于競爭對手。在此次的架構(gòu)日，英特爾展示了他們的眾多下一代技術(shù)和已經(jīng)做出的創(chuàng)新，其中就包括業(yè)界首個3D堆疊邏輯芯片?！　?jù)媒體報(bào)道，12月11日，英特爾召開架構(gòu)溝通會。會上，英特爾向參會者介紹了其基于10nm的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，并分享了其在處理器、架構(gòu)、存儲、互連、安全和軟件等六
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3d堆疊介紹

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