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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d堆疊

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
  • 關鍵字： 鎧俠  存儲技術  DRAM  MRAM  3D堆疊  

力積電多層晶圓堆疊技術獲AMD等大廠采用

  • 自力積電官網獲悉，力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術獲AMD等美、日大廠采用，將結合一線晶圓代工廠的先進邏輯制程，開發(fā)高帶寬、高容量、低功耗的3D AI芯片，發(fā)揮3D晶圓堆疊的優(yōu)勢，為大型語言模型人工智能（LLM_AI）應用及AI PC提供低成本、高效能的解決方案。同時針對GPU與HBM（高帶寬內存）的高速傳輸需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer（中間層），也通過國際大廠認證，將在該公司銅鑼新廠導入量產。
  • 關鍵字： 力積電  AMD  3D堆疊  

用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

  • 系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設計理念是實現電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點，為電源SiP的設計提供參考。
  • 關鍵字： 系統(tǒng)級封裝  腔體  3D堆疊  鍵合  銅片夾扣  202112  MOSFET  

英特爾發(fā)表首款3D堆疊處理器 針對PC平臺優(yōu)化性能

  • 英特爾推出代號「Lakefield」的Intel Core處理器，并搭載Intel Hybrid Technology。Lakefield處理器運用英特爾的Foveros 3D封裝技術，及混合型CPU架構來實現可擴充性的功率和效能，在生產力與內容創(chuàng)作上，為一提供Intel Core效能和完整Windows兼容性的產品里，尺寸最小并可打造超輕巧和創(chuàng)新的外形設計。英特爾公司副總裁暨筆電用戶平臺總經理Chris Walker表示，搭載英特爾Hybrid Technology的Intel Core處理器是英特爾實
  • 關鍵字： 3D堆疊  英特爾  Lakefield  

“摩爾定律”的延續(xù) 英特爾將開發(fā)出3D堆疊技術

  • 　　半個世紀前，英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出“摩爾定律”(Moore's Law)，從這以后，芯片廠商們多遵從這一定律生產芯片。而近年來，“摩爾定律”被其他廠商唱衰，本該是芯片“鼻祖”的英特爾也在技術上漸漸落后于競爭對手。在此次的架構日，英特爾展示了他們的眾多下一代技術和已經做出的創(chuàng)新，其中就包括業(yè)界首個3D堆疊邏輯芯片。　　據媒體報道，12月11日，英特爾召開架構溝通會。會上，英特爾向參會者介紹了其基于10nm的PC、數據中心和網絡系統(tǒng)，并分享了其在處理器、架構、存儲、互連、安全和軟件等六
  • 關鍵字： 摩爾定律  英特爾，3D堆疊  
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3d堆疊介紹

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