3d nand 文章進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)

2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化。　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出，在高容量32Gb和64Gb
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。　　2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成長(zhǎng)主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長(zhǎng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士?jī)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(zhǎng)167%。　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(zhǎng)26%及12%，至于N
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內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購(gòu)買海力士

　　業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國(guó)金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司以購(gòu)買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 　　此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺(tái)灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過(guò)預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來(lái)自韓國(guó)供應(yīng)商. 　　內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對(duì)三星電子的依賴,因?yàn)槿请娮觾?yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 　　另外有消息稱,海力士
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為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來(lái)將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚(yú)幫水、水幫魚(yú)的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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三星推出64GB moviNAND閃存芯片

　　三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB，封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計(jì)的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個(gè)芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。　　64GB moviNAND 　　另外，三星還計(jì)劃升級(jí)自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時(shí)，閃存卡的最
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重塑產(chǎn)業(yè)前景迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

　　編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：國(guó)際上有許多市場(chǎng)分析公司與機(jī)構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測(cè)值不同，有時(shí)差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測(cè)都有三類，即樂(lè)觀、中等和悲觀。另外，由于每個(gè)市場(chǎng)分析公司其數(shù)據(jù)來(lái)源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來(lái)觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對(duì)可靠(經(jīng)驗(yàn)值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
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飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號(hào)RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計(jì)，包含128和256GB兩種型號(hào)，讀取速度高達(dá)355MB/s,寫入速度達(dá)215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計(jì)將面向北美、英國(guó)和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價(jià)大約450美元。　　
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東芝32nm制程N(yùn)AND閃存SSD硬盤將于二季度上市

　　日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計(jì)的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過(guò)目前東芝所售出的SSD硬盤產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無(wú)法享受到32nm制程技術(shù)帶來(lái)低成本實(shí)惠。　　不過(guò)東芝近日宣布，他們將開(kāi)始測(cè)試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產(chǎn)品，并將于本季度推出
關(guān)鍵字：東芝 32nm NAND 閃存制造

一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫(kù)存

　　據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過(guò)2009年對(duì)膨脹的庫(kù)存大幅削減，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫(kù)存，以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。　　半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫(kù)存天數(shù)(DOI)預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫(kù)存預(yù)計(jì)比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫(kù)存會(huì)維持在可滿足要求的平衡水平上，庫(kù)存將達(dá)到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會(huì)接近短缺的邊緣。　　圖示為iSuppli
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iSuppli：全球芯片庫(kù)存保持緊縮 NAND閃存或短缺

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫(kù)存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利。　　第一季度末庫(kù)存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫(kù)存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%，第一季度預(yù)計(jì)將較普通水平少6.9%。　　iSuppli預(yù)測(cè)，由于庫(kù)存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。　　2010年，預(yù)計(jì)庫(kù)存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫(kù)存管理將幫助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數(shù)增長(zhǎng)，增長(zhǎng)幅度預(yù)計(jì)為15.4%，而2009年減少12.4%
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威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲(chǔ)器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jī)單，董事長(zhǎng)陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對(duì)于模塊產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是好事，往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會(huì)見(jiàn)到淡季不淡，也不見(jiàn)五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格則預(yù)計(jì)會(huì)起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會(huì)優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進(jìn)行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器部門資深營(yíng)銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
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韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格

　　韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。　　韓國(guó)快閃記
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韓國(guó)FTC：NAND Flash大廠無(wú)操控價(jià)格

　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)器大廠有任何操控價(jià)格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國(guó)FTC表示，至目前為止所有和存儲(chǔ)器市場(chǎng)相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場(chǎng)。　　韓國(guó)FTC自2007年1月開(kāi)始調(diào)查存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價(jià)格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲(chǔ)器大廠，包括兩家韓國(guó)廠商、1家日本及1家美國(guó)廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)近年來(lái)遭數(shù)個(gè)國(guó)家調(diào)查是否存在柯斷，近期
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韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

　　韓國(guó)公平交易委員會(huì)在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。　　該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓國(guó)，其他位于美國(guó)和日本。不過(guò)公平交易委員會(huì)沒(méi)有點(diǎn)出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備，包括數(shù)字音樂(lè)播放器、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)。　　根據(jù)三星電子和東芝的說(shuō)法，今年8月，美國(guó)司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。　　市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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