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內(nèi)存廠商積極轉(zhuǎn)向新制程，明年芯片生產(chǎn)成本將大幅下降

  • 　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存業(yè)者透露，由于越來越多的內(nèi)存芯片廠商都在積極轉(zhuǎn)向下一代制程技術(shù)，因此這種彼此間的良性制程競(jìng)賽將令內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本在明年之內(nèi)將出現(xiàn)較大幅度的下降。 　　目前，韓國(guó)三星電子的內(nèi)存芯片產(chǎn)品已經(jīng)有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經(jīng)開始小批導(dǎo)入40nm制程。預(yù)計(jì)到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據(jù)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的地位。 　　日本爾必達(dá)公司則很快會(huì)開始啟用其改進(jìn)版65nm制程，爾必達(dá)將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉(zhuǎn)移到
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SanDisk閃存繼續(xù)降價(jià) 56nm量產(chǎn)指日可待

  • 今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價(jià)格也隨之大幅度下跌，這對(duì)新達(dá)公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤(rùn)率為14.2%，去年則為28.4%。存儲(chǔ)卡平均容量達(dá)到了1231MB，年增長(zhǎng)率為87%，季度增長(zhǎng)率 為11%。而每MB平均價(jià)格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。 對(duì)于出現(xiàn)這種局面的原因，公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型
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56nm介紹

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