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Alchimer 與 CEA-Leti 簽署協(xié)作合約

  • 　　以評估高深寬比TSV 應(yīng)用的金屬化制程 　　濕式納米薄膜沉積工藝能夠以低持有成本提供20:1深寬比TSV 　　3D 整合正朝著中段鉆孔(via middle approach)的做法發(fā)展，即在前端工藝之后，但卻在堆疊之前形成TSV。一些應(yīng)用正處于研發(fā)階段，導(dǎo)致TSV技術(shù)的限制和不同規(guī)格。 Alchimer 的技術(shù)顯示出突破現(xiàn)有障礙，實現(xiàn)高深寬比TSV 的潛力。此次協(xié)作將評估其技術(shù)的潛力及其大批量生產(chǎn)的適用性。 　　Alchimer 的執(zhí)行長Bruno Morel 表示：「目前的技術(shù)，例如PECV
  • 關(guān)鍵字： Alchimer  PECVD   

Alchimer與CEA-Leti簽署協(xié)作合約

  • 日前，Alchimer, SA 宣布與法國研究機構(gòu)CEA-Leti 達成協(xié)作合約，以評估和實施Alchimer為300mm 大批量生產(chǎn)的濕式沉積工藝。該專案將為隔離層、阻擋層和晶種層評估Alchimer 的Electrografting (eG?) 和Chemicalgrafting (cG?) 制程。
  • 關(guān)鍵字： Alchimer  3D  TSV  

22nm節(jié)點制程帶來的思索

  • 　　從某些方面上看，22nm節(jié)點制程也許并不算是什么技術(shù)上的突破，相反，在人們的眼中這可能是一種吃力而不討好的活兒。從高端角度上看，向22nm節(jié)點制 程轉(zhuǎn)換并不需要對制程技術(shù)進行什么翻天復(fù)地的大變革，而且實現(xiàn)這種制程技術(shù)的技術(shù)壁壘也不算很高(當(dāng)然工程師還是需要解決一些技術(shù)問題)，同時對 Intel，臺積電，三星等業(yè)界巨頭而言，也完全有資源有能力解決這些問題，但對其它實力稍差的競爭者而言，也會有自己的技術(shù)和市場措施來抵擋這些巨頭的 22nm制程攻勢。 　
  • 關(guān)鍵字： Alchimer  22nm  
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