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NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
- 近日,據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預測,2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產(chǎn)量增加40%以上,從2017年的220億美元增至2018年的310億美元,屬于近8年來的最大增幅。 其中,3D NAND的市場需求,成為驅(qū)動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系,可以使得每顆芯片的儲存容量增加,從而實現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔,利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧,目前已成為NAND閃存廠商的
- 關(guān)鍵字: NAND CAPEX
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