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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計為先進電機應(yīng)用鋪平了道路

  • 先進電機應(yīng)用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設(shè)計很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應(yīng)用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
  • 關(guān)鍵字： SiC  逆變器  電機  CISSOID  Silicon Mobility  

CISSOID與Silicon Mobility擴大合作伙伴關(guān)系，提供完整的SiC逆變器參考設(shè)計

  • 2023年3月20日–佛羅里達州奧蘭多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布進一步擴展其合作伙伴關(guān)系，以提供完整的模塊化碳化硅（SiC）逆變器參考設(shè)計，且支持高達350KW/850V的電機驅(qū)動。該參考設(shè)計包括CISSOID基于SiC的高壓功率模塊、集成化柵極驅(qū)動器，以及采用Silicon Mobility超快速、安全的OLEA T222 FPCU的控制板，直流和相電流傳感器，直流母線電容器和EMI濾波，以及集成化液體冷卻裝置。CISSOID還將銷售和交付Silicon Mobil
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CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開發(fā)高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

  • 高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴苛的應(yīng)用提供高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者）開展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機驅(qū)動器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設(shè)計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
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CISSOID與依思普林達成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動電動汽車動力總成的全面優(yōu)化和深度集成

  • 提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長壽命的高效、緊湊電機驅(qū)動和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.（CISSOID），和中國先進電動汽車動力總成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司（依思普林)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能在電動汽車動力總成領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，從而實現(xiàn)電動汽車動力總成的全面優(yōu)化和深度集成。 電動汽車的動力總成（包括電機、電控和變速箱）已走向三合一，但目前的整合僅僅是在結(jié)構(gòu)上的堆疊，尚
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

  • 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應(yīng)用方面，越來越多的人則
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CISSOID在紐倫堡PCIM 2019展會上展出新款高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅器件及功率模塊

  • 比利時·蒙-圣吉貝爾，2019年5月13日– 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動器板，該板針對額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進行了優(yōu)化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動器芯片
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CISSOID和清華大學(xué)電機系達成技術(shù)合作意向，共同研發(fā)基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)

  • 比利時·蒙 - 圣吉貝爾和中國·北京 – 2019年4月8日– 高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與清華大學(xué)電機工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡稱電機系）達成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢，并將大力支持在新能源汽車領(lǐng)域開展廣泛應(yīng)用。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫度和惡劣環(huán)境下的電源管理、功率轉(zhuǎn)換與信號調(diào)節(jié)提供標準產(chǎn)品和定制解決方案。清華大學(xué)電機系創(chuàng)立
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  清華  電機系  

CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

  • 　　高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！　ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
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CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

  • 　　高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！　ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
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CISSOID為Honeywell將停產(chǎn)高溫微電子產(chǎn)品的客戶提供相應(yīng)替代品

  • 　　高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID今日宣布：該公司已準備好幫助客戶免受Honeywell公司宣布限期最后接單后，即將停產(chǎn)其高溫微電子產(chǎn)品所帶來的影響，同時發(fā)布了一份CISSOID等效器件部品的型號互查表，所有的產(chǎn)品額定溫度范圍同樣都為-55°C到225°C，同時還可以提供裸芯片(bare?die):　　也可以通過開發(fā)高溫專用集成電路(ASIC)或者專門的電路板的方式來實現(xiàn)器件的替代，這得益于CISSOID自有的強大硅知識產(chǎn)權(quán)(IP)及產(chǎn)品組合，其中包括電壓參考源、調(diào)節(jié)器、放大
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CISSOID 向 Thales 交付首個碳化硅（ SiC ）智能功率模塊

  • 　　高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項目的支持下開發(fā)而成，通過減小重量和尺寸，該模塊有助于提高功率轉(zhuǎn)換器密度，從而
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航晶微電子和 CISSOID宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

  • 　　高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 與中國高溫及極端環(huán)境混合集成電路領(lǐng)導(dǎo)者航晶微電子今日共同宣布，雙方正式簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議，將共同開發(fā)高可靠高溫混合集成電路。　　這將結(jié)合 CISSOID 在開發(fā)極端溫度及惡劣環(huán)境下使用的半導(dǎo)體方面 15 年的經(jīng)驗，以及航晶微電子在開發(fā)復(fù)雜高品質(zhì)高可靠多芯片電路解決方案方面 17 年的經(jīng)驗。雙方將通力合作，致力于將成套多芯片集成電路應(yīng)用于新型、復(fù)雜且緊湊的標準多芯片模塊電路
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CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO

  • 　　高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO，它可在-55～225℃的范圍內(nèi)實現(xiàn)可靠的運行，并輸出高達60A的電流。CHT-PLUTO 是一種雙碳化硅 MOSFET 模塊，主要應(yīng)用于在低端和高端均可持續(xù)供應(yīng) 30 A 電流的半橋。低端和高端的兩個獨立開關(guān)可并聯(lián)使用，輸出總電流為 60 A，擊穿電壓超過 1200 V，當 VGS=20 V 時，導(dǎo)通電阻在 25℃和 225℃的溫度下分別低至 23 m? 和 50 m?。 　　   　　由于碳化
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CISSOID 公司推出 HADES v2

  • 　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和致動器應(yīng)用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設(shè)計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應(yīng)用需求。 　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
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CISSOID高溫半導(dǎo)體產(chǎn)品正式進軍中國

  • 　　CISSOID公司在高溫半導(dǎo)體領(lǐng)域投入已久，專為極端溫度與惡劣環(huán)境下的電源管理、功率轉(zhuǎn)換與信號調(diào)節(jié)提供標準化的產(chǎn)品與定制解決方案，目前，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球石油和天然氣、航空航天、工業(yè)與汽車市場等領(lǐng)域。 　　中國市場日趨壯大的工業(yè)、交通、能源等應(yīng)用，以及這些市場煥發(fā)出的強大的創(chuàng)新活力，吸引了CISSOID公司的重視。日前，該公司宣布正式進軍中國市場，并與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華經(jīng)銷協(xié)議。 　　CISSOID 擁有高溫隔離式柵極驅(qū)動器、高壓 SiC MOSFET 開關(guān)等半導(dǎo)體產(chǎn)品與
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