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TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用的功率MOSFET

  •   日前,德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品,DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸,同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%,并改進(jìn)散熱管理。   該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器,同時(shí)顯著節(jié)省板級(jí)空間。這些采用高級(jí)封裝的 MOSFET 可廣泛用于
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