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Farichild推出帶有USB/充電器檢測(cè)功能的便攜應(yīng)用過(guò)電壓保護(hù)器件

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor) 為手機(jī)和手持移動(dòng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供一款帶有高集成度過(guò)電壓保護(hù)(OVP)和USB/充電器檢測(cè)功能的器件FAN3988。該器件是飛兆半導(dǎo)體OVP產(chǎn)品系列的最新成員，可讓終端用戶(hù)按照應(yīng)用所需之特定導(dǎo)通電阻和電流能力，靈活選擇外部P溝道MOSFET。　　FAN3988具備內(nèi)置自動(dòng)檢測(cè)功能，器件通過(guò)連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+ / D-線(xiàn)，能夠感測(cè)是否連接USB充電器。此外，器件還通過(guò)監(jiān)控VBUS來(lái)感測(cè)過(guò)壓或者欠壓狀況。當(dāng)達(dá)到過(guò)壓閾值時(shí)，F(xiàn)AN39
關(guān)鍵字： Farichild 過(guò)電壓保護(hù) OVP FAN3988

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話(huà)、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類(lèi)解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時(shí)減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197P
關(guān)鍵字： Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD

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