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FeFET 陣列可在電池供電設(shè)備中實(shí)現(xiàn)同態(tài)加密

在數(shù)據(jù)作為商品買賣的時(shí)代，真正的隱私是罕見的。但是同態(tài)加密可以完全保護(hù)您的數(shù)據(jù)，因此任何人，甚至是用于處理它的服務(wù)器，都無法讀取您的信息。它的工作原理是這樣的：設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行加密，將其發(fā)送出去進(jìn)行處理，對(duì)加密數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算，然后在返回時(shí)解密數(shù)據(jù)。數(shù)學(xué)上復(fù)雜的過程可確保您處理的數(shù)據(jù)可以在最后解密，而任何人都無法在中間對(duì)其進(jìn)行解碼。然而，實(shí)現(xiàn)同態(tài)加密的基礎(chǔ)數(shù)學(xué)所需的計(jì)算能力對(duì)于目前的物聯(lián)網(wǎng)來說太過分了。位于中國北京的北京大學(xué)的一個(gè)工程師團(tuán)隊(duì)旨在改變這種狀況。他們的新器件使用鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFET）&nb
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　　日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強(qiáng)電介質(zhì)柵極電場效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲(chǔ)單元?？刹翆?億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲(chǔ)單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右，而此次的存儲(chǔ)單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。　　此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
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