首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> g50v3

科銳推出新型GaN RF MMIC工藝技術(shù)

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50V的G50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無(wú)線(xiàn)射頻功率密度，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更小尺寸裸芯片和更緊湊、更高效率放大器。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  無(wú)線(xiàn)射頻  G50V3  
共1條 1/1 1

g50v3介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條g50v3!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)g50v3的理解，并與今后在此搜索g50v3的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473