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雙喜臨門 Xilinx進(jìn)一步鞏固數(shù)據(jù)中心領(lǐng)導(dǎo)地位
- 自適應(yīng)和智能計算的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc.,(NASDAQ:XLNX))今天宣布推出近期剛面市的 Alveo? 數(shù)據(jù)中心加速器卡產(chǎn)品組合的最新成員 Alveo U280。Alveo U280 卡將提供全新功能,包括支持高帶寬存儲器 (HBM2) 和最前沿的高性能服務(wù)器互聯(lián)功能。此外,賽靈思同時還宣布戴爾 EMC 成為首家獲得Alveo U200 加速器卡的服務(wù)器廠商。通過提供Alveo U200 加速器卡,戴爾 EMC將支持客戶通過選定的戴爾 EMC PowerEdge 服務(wù)器
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三星投產(chǎn)2.4Gbps最快HBM2存儲芯片:8K顯卡爽了
- 三星今天宣布,開始生產(chǎn)針腳帶寬2.4Gbps的HBM2顯存,封裝容量8GB,其中,HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。 這一次,三星將產(chǎn)品命名為Aquabolt(上一代是Flarebolt),號稱是業(yè)界最快的DRAM,目標(biāo)客戶是超級計算機、人工智能和顯卡。 技術(shù)參數(shù)上,三星透露電壓降為1.2V,總帶寬307GB/s,比8GB GDDR5芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度快9.6倍。 其中單芯片的工藝上,8片8Gb垂直封裝,使用5000個硅穿孔, 簡單推算下,
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SK海力士宣布HBM2量產(chǎn):比上代貴2.5倍
- 前不久我們曾報道,市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡(NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等)采用的都是三星的顆粒,而非SK海力士。 之所以奇怪是因為,HBM一代的首發(fā)是SK海力士,用于AMD的Fury顯卡,甚至固態(tài)協(xié)會的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)都主要是這兩者一起制訂的,但到了第二代,SK海力士卻突然被三星超車。 據(jù)Anandtech報道,SK海力士表示,HBM2的量產(chǎn)要等到今年晚些時候了。 同時,一位經(jīng)理級別的人物在財報會議上透露,客戶
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存
- 隨著新一代顯卡到來,內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網(wǎng)站Golem.de報道,SK Hynix計劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措,SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同,但具有更高的時鐘頻率和容量,時鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數(shù)
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存
- 隨著新一代顯卡到來,內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網(wǎng)站Golem.de報道,SK Hynix計劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2),其中,4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計在今年第三季度出貨,8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措,SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同,但具有更高的時鐘頻率和容量,時鐘頻率從1GHz起跳,到2GHz,數(shù)
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