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Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

  • 　　美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同時他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘米，導(dǎo)電能力得到極大提高，電阻率比他們以前的n型氮化鎵襯底低兩個數(shù)量級。此外，Kyma也成功開發(fā)了高摻雜n+型氮化鎵襯底晶片，n型載流子濃度達(dá)到了6′1018 cm-3，對應(yīng)電阻率僅為0.005歐姆厘米。
  • 關(guān)鍵字： Kyma  單晶襯底  
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