led外延片文章進(jìn)入led外延片技術(shù)社區(qū)

士蘭明芯訂購6臺MOCVD設(shè)備

　　近日，杭州士蘭微電子股份有限公司全資子公司杭州士蘭明芯科技有限公司(以下簡稱“士蘭明芯”)向維易科精密儀器國際貿(mào)易(上海)有限公司(以下簡稱“維易科上海公司”)訂購了6臺套金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備(MOCVD 設(shè)備)，總價(jià)款為1458萬美元(CIP 工廠到岸價(jià))。　　維易科上海公司是 Veeco Instruments Inc.(以下簡稱“維易科美國公司”)在中國的全資子公司。美國維易科是一家位于美國的，主要生產(chǎn)LED、太陽
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華南最大LED外延片芯片項(xiàng)目正式開工

　　總投資額6億美元的LED外延片、芯片項(xiàng)目昨日在增城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)破土動工，增城千億元旗艦產(chǎn)業(yè)規(guī)劃由此起航。據(jù)介紹，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)2013年投產(chǎn)，將打造成為華南地區(qū)最大的LED外延片、芯片生產(chǎn)基地。　　據(jù)介紹，LED外延片、芯片項(xiàng)目由LED外延片、芯片龍頭企業(yè)臺灣晶元光電、臺達(dá)電子與創(chuàng)維集團(tuán)三大“巨頭”共同投資，集LED外延片、芯片的研發(fā)、生產(chǎn)于一體。項(xiàng)目分為三期建設(shè)，首期投資總額2.5億美元，2011年底動工，預(yù)計(jì)項(xiàng)目全部投產(chǎn)后年產(chǎn)外延片、芯片可達(dá)180萬片，將成為未來華南地區(qū)
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LED外延片介紹以及辨別外延片質(zhì)量方法

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試，符合要求的就是良品，其它...
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藍(lán)寶石基LED外延片背減薄與拋光工藝研究

1引言目前在藍(lán)光LED的制備中，通常采用異質(zhì)外延的方法生長氮化鎵材料。在商品化的LED中，絕大部分采...
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江蘇吳江首條LED外延片生產(chǎn)線正式啟用

　　近日，華上光電(江蘇)有限公司三臺LED外延片生產(chǎn)設(shè)備順利安裝運(yùn)行，此舉標(biāo)志著江蘇省吳江首條LED外延片生產(chǎn)線正式啟用。　　華上光電(江蘇)有限公司于2010年下半年，由臺灣華上光電斥資3000萬美元，在江蘇省吳江經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)成立，專業(yè)生產(chǎn)LED外延片、芯片，華上100%持股。
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晶電投資6億美元的LED芯片項(xiàng)目于江蘇常州正式開工

　　4月8日，晶電投資6億美元建設(shè)的LED外延片和芯片制造項(xiàng)目——晶品光電(常州)有限公司，在江蘇省常州市武進(jìn)出口加工區(qū)舉行開工儀式。　　晶元光電在武進(jìn)出口加工區(qū)投資的LED外延片和芯片制造項(xiàng)目，之前是在2009年12月3日在南京簽約，該專案將分期建設(shè)，一期總投資3.6億美元，注冊資本1.2億美元。　　該公司預(yù)計(jì)于2011年4月正式生產(chǎn)，二期項(xiàng)目將隨后進(jìn)行。該專案的入駐，有望進(jìn)一步帶動上下游廠商向常州集聚，在常州形成完整的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈。
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蕪湖“雙輪驅(qū)動”壯產(chǎn)業(yè)

　　三安光電股份有限公司披露定向增發(fā)預(yù)案，通過定向增發(fā)募集資金29.8億元，用于實(shí)施蕪湖光電產(chǎn)業(yè)化一期工程項(xiàng)目，蕪湖培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)吹響了嘹亮的號角。　　作為皖江城市帶承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移示范區(qū)“雙核”之一，蕪湖市在去年成功應(yīng)對國際金融危機(jī)挑戰(zhàn)的同時，即著眼于“十二五”及未來發(fā)展戰(zhàn)略的謀劃，將城市的戰(zhàn)略定位、重大基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目、重要產(chǎn)業(yè)布局以及更加優(yōu)惠的發(fā)展政策納入規(guī)劃，接連出臺了推進(jìn)工業(yè)強(qiáng)市、三產(chǎn)興市、城鄉(xiāng)統(tǒng)籌等一系列重大發(fā)展政策，編制了裝備制造、節(jié)能環(huán)保等8
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led外延片介紹

LED外延片　　LED外延片生長的基本原理是：在一塊加LED外延片熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。　　LED外延片襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決 [ 查看詳細(xì) ]

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