lpddr4x 文章進(jìn)入lpddr4x技術(shù)社區(qū)

長(zhǎng)鑫官方開(kāi)賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存！單條8GB 2666MHz

對(duì)于國(guó)產(chǎn)軟硬件,我們從未如此期盼,幸運(yùn)的是各項(xiàng)突破也是接踵而至,現(xiàn)在我們終于有了自己的內(nèi)存。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站上,已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。據(jù)介紹,長(zhǎng)鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場(chǎng)需求,支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合,并有充分的可靠性保障,規(guī)格方面單顆容量8Gb(1GB),頻率2666MHz,電壓1.2V,工作溫度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長(zhǎng)鑫特別強(qiáng)調(diào),這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。根據(jù)此前消
關(guān)鍵字：內(nèi)存國(guó)產(chǎn) DDR4 LPDDR4X 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當(dāng)前和下一代
關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)

　　根據(jù)外媒TechLookover的報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒(méi)有提升，但是功耗再降10%，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。　　據(jù)悉，三星電子今天宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)界首款第二代10納米級(jí)(1y-nm)LPDDR4X DRAM，降低當(dāng)今高端智能手機(jī)和其他移動(dòng)應(yīng)用的電池消耗。　　與當(dāng)前旗艦移動(dòng)設(shè)備中最常用的移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片相比，第二代LPDDR4X DRAM的功耗降低了10%，同時(shí)保持了4266MHz的相同數(shù)據(jù)速率?！　　?0nm級(jí)移動(dòng)DRAM的問(wèn)
關(guān)鍵字：三星 LPDDR4X

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，為優(yōu)化智能手機(jī)的操作系統(tǒng)流暢度，廠商不斷升級(jí)行動(dòng)式內(nèi)存版本。在三星、SK海力士及美光集團(tuán)三大原廠的納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)及智能手機(jī)主流AP(應(yīng)用處理器)的搭載需求下，LPDDR4X的產(chǎn)出比重持續(xù)增加，出貨數(shù)量在第二季開(kāi)始將超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈同價(jià)趨勢(shì)，兩者和LPDDR3的價(jià)差都小于5%，也加速LPDDR4系列(含LPDDR4X)的導(dǎo)入速度，預(yù)估全年度LPDDR4系列將達(dá)到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成為
關(guān)鍵字： LPDDR4X LPDDR3

共4條 1/1 1

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條lpddr4x!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)lpddr4x的理解，并與今后在此搜索lpddr4x的朋友們分享。創(chuàng)建詞條