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富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產品

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。
  • 關鍵字： 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  
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