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目標(biāo) 2029 年量產(chǎn) MRAM 內(nèi)存，力積電將與日企 Power Spin 合作

  • IT之家 2 月 8 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道，晶圓代工企業(yè)力積電計(jì)劃今年上半年與日企 Power Spin 達(dá)成合作，目標(biāo) 2029 年實(shí)現(xiàn) MRAM 內(nèi)存量產(chǎn)。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關(guān) IP 授權(quán)，力積電進(jìn)行進(jìn)一步的量產(chǎn)化研發(fā)和試產(chǎn)，最終達(dá)到量產(chǎn)目標(biāo)?！?nbsp;力積電商標(biāo)據(jù)了解，Power Spin 由日本東北大學(xué)于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關(guān)技術(shù)?！?nbsp;Power Spin 商標(biāo)MRAM 內(nèi)存是一種非易失性?xún)?nèi)存，其在擁有高
  • 關(guān)鍵字： MRAM內(nèi)存  力積電  
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mram內(nèi)存介紹

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