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三星將在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 層 QLC 閃存，速率可達(dá) 3.2GB/s

  • IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）將于 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行，是世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認(rèn)的集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域最高級(jí)別會(huì)議。根據(jù)會(huì)議公開內(nèi)容：屆時(shí)三星將展示其 GDDR7 內(nèi)存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術(shù)，其中 GDDR7 IT之家此前已有相關(guān)報(bào)道，而 280 層 QLC 閃存將成為迄今為止數(shù)據(jù)密度最高的新型 NAND 閃存技術(shù)。從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb
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