三星將在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 層 QLC 閃存，速率可達(dá) 3.2GB/s

IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）將于 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行，是世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認(rèn)的集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域最高級(jí)別會(huì)議。

根據(jù)會(huì)議公開內(nèi)容：屆時(shí)三星將展示其 GDDR7 內(nèi)存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術(shù)，其中 GDDR7 IT之家此前已有相關(guān)報(bào)道，而 280 層 QLC 閃存將成為迄今為止數(shù)據(jù)密度最高的新型 NAND 閃存技術(shù)。

從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”來(lái)看，其 280 層 1Tb QLC  閃存具有如下特征：

• 280 層 1Tb 4b / cell 3D-NAND 閃存：

• ——280 層：指該閃存芯片由 280 層存儲(chǔ)單元垂直堆疊而成，從而提高了存儲(chǔ)密度。

• ——1Tb：指該閃存芯片的存儲(chǔ)容量密度為 1024 G bit。

• ——4b / cell：指每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ) 4 個(gè)二進(jìn)制位，即每比特?cái)?shù)據(jù)占用 0.25 個(gè)存儲(chǔ)單元，進(jìn)一步提高了存儲(chǔ)密度。

• ——3D-NAND：指該閃存采用 3D 堆疊技術(shù)，通過垂直堆疊存儲(chǔ)單元來(lái)增加存儲(chǔ)密度。

• 28.5Gb / mm2 面密度：指每平方毫米存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ) 28.5Gb 數(shù)據(jù)，表明其存儲(chǔ)密度極高。

• 3.2GB/s High-Speed 10 Rate：指該閃存芯片讀取數(shù)據(jù)的最高速度為 3.2GB/s，High-Speed 10 Rate 可能指的是某種特定的接口或傳輸協(xié)議。

IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是密度單位，與 GB（G Byte）不同。就目前已公開技術(shù)來(lái)看，三星 280 層 1Tb QLC  閃存的密度和速率均處于領(lǐng)先位置，但量產(chǎn)時(shí)間未知。

根據(jù)三星 PPT 來(lái)看，QLC NAND V9 閃存可以實(shí)現(xiàn)最高 8TB 的 M.2 硬盤，IO 速度超過 2.4Gbps（單個(gè)芯片），原始性能可與當(dāng)今 TLC 閃存直接競(jìng)爭(zhēng)，但具體上市產(chǎn)品表現(xiàn)如何仍待觀察。