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日本 ：NEC開發(fā)成功1億門單元基LSI

  • 日本 ：NEC開發(fā)成功1億門單元基LSI　NEC電子設(shè)備部開發(fā)成功CB-90系列單元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm，采用柵長0.06μm的CMOS方法和銅金屬連線技術(shù)制造。準(zhǔn)備制造的三種單元基LSI是：高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它們的內(nèi)部工作頻率分別為500MHz～1GHz。最高頻率為500MHz、最低為150MHz。　　高集成度型CB-90M的邏輯門數(shù)最多達到1億門。高速型CB-90H的門延遲時間為10.2ps（2個輸入NAND門，扇出數(shù)為2）。低功耗型CB
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nec電子設(shè)備部介紹

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