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“新基建”風(fēng)口下，關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器撐起表計(jì)市場(chǎng)升級(jí)大旗
- 距離中國(guó)首次提出泛在電力物聯(lián)網(wǎng)的概念剛過(guò)去一年，通過(guò)升級(jí)電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，以大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、5G、邊緣計(jì)算等技術(shù)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電網(wǎng)向能源互聯(lián)網(wǎng)升級(jí)，將隨著承擔(dān)“拉動(dòng)經(jīng)濟(jì)”重任的“新基建”而加速，泛在電力物聯(lián)網(wǎng)在電力系統(tǒng)基礎(chǔ)建設(shè)中的重要性不言而喻。而作為電力網(wǎng)絡(luò)化數(shù)據(jù)采集的唯一設(shè)備，智能電表是用戶(hù)側(cè)泛在電力物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)，智能電表的技術(shù)創(chuàng)新可以說(shuō)從根本上影響著泛在電力物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展。針對(duì)這波大規(guī)模的市場(chǎng)熱潮，富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新近日在一次研討會(huì)上也表示：“智能表計(jì)作為富士通長(zhǎng)期關(guān)注的重
- 關(guān)鍵字： 新基建 RFID NRAM
以創(chuàng)新型存儲(chǔ)掘金百億表計(jì)市場(chǎng)，富士通FRAM+NRAM引領(lǐng)計(jì)量存儲(chǔ)技術(shù)變革
- 過(guò)去十年，智能電表大范圍替代傳統(tǒng)電表的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變，成為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的一個(gè)縮影。中商產(chǎn)業(yè)研究院相關(guān)報(bào)告指出，預(yù)計(jì)2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將達(dá)142.2億美元，與2016年的88.4億美元、2017年的97.2億美元相比，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約10%。而Navigant Research研究報(bào)告指出，中國(guó)在2018年第一季度持續(xù)引領(lǐng)全球智能電表市場(chǎng)，安裝量超過(guò)4.96億臺(tái)，占全球總量的68.4%，并正在向下一代智能電表發(fā)展。圖1：中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模由此看來(lái)，中國(guó)智能電
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM+NRAM 計(jì)量存儲(chǔ)技術(shù)
FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)串起關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一攬子解決方案
- 《華爾街日?qǐng)?bào)》前不久的一篇文章指出，近年來(lái)智能手機(jī)、PC、平板電腦等設(shè)備的進(jìn)化并沒(méi)有以往那么快速，不過(guò)它們正以新的方式推進(jìn)創(chuàng)新，硬件廠商更多針對(duì)特定任務(wù)采用定制芯片。沒(méi)錯(cuò)，技術(shù)的多樣性正在為各種應(yīng)用帶來(lái)類(lèi)似 “定制化”的更優(yōu)化設(shè)計(jì)選項(xiàng)。而嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域也是如此，以不同獨(dú)特性能的各種存儲(chǔ)技術(shù)正在為許多應(yīng)用需求提供“定制化”的方案，其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上正在這樣做?！ 白鳛橄到y(tǒng)關(guān)鍵組成部分，存儲(chǔ)性能至關(guān)重要?！?nbsp;富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： FRAM NRAM
富士通與Nantero達(dá)成協(xié)議 2018年推出快1000倍的NRAM內(nèi)存
- 富士通半導(dǎo)體和三重富士通半導(dǎo)體上周共同宣布宣布，他們已與總部位于美國(guó)的Nantero公司達(dá)成協(xié)議，授權(quán)該公司的碳納米管內(nèi)存(NRAM)技術(shù)，三方公司未來(lái)將致力于NRAM內(nèi)存的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)。據(jù)了解，借由NRAM技術(shù)所生產(chǎn)的內(nèi)存速度將是當(dāng)前普通內(nèi)存的1,000倍。預(yù)計(jì)，借由三方面的合作，將在2018年推出借由55納米制程所生產(chǎn)的NRAM內(nèi)存。 在納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管(CNT)是一種很獨(dú)特的材料，直徑只有人類(lèi)頭發(fā)的五萬(wàn)分之一，能導(dǎo)熱導(dǎo)電，硬度是鋼鐵的50倍。在儲(chǔ)存領(lǐng)域，碳納米管通過(guò)矽基沉底也能達(dá)到
- 關(guān)鍵字： 富士通 NRAM
NRAM技術(shù)可讓SSD固態(tài)硬盤(pán)的壽命無(wú)限延長(zhǎng)
- 固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drives)是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán)，由控制單元和存儲(chǔ)單元組成。雖然成本較高，但也正在逐漸普及到 DIY 市場(chǎng)。存儲(chǔ)器廠商只需購(gòu)買(mǎi) NAND 存儲(chǔ)器，再配合適當(dāng)?shù)目刂菩酒涂梢灾圃旃虘B(tài)硬盤(pán)。SSD 固態(tài)硬盤(pán)具有傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)不具備的快速讀寫(xiě)、質(zhì)量輕、能耗低以及體積小等特點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于軍事、車(chē)載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。 正如前文提到的，廠商只需要 NAND 存儲(chǔ)器加上控
- 關(guān)鍵字： NRAM SSD
NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)？
- 美國(guó)記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱(chēng)Nano-RAM)，已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場(chǎng)上的儲(chǔ)存級(jí)記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國(guó)版編輯電話(huà)訪問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
- 關(guān)鍵字： NRAM，CMOS
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