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基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

  • 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計(jì)用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失??墒菍?shí)際上,出于兩個(gè)方面的原因-傳導(dǎo)和開關(guān)切換,設(shè)備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),其改善開關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微(Navitas)半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵( GaN )功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片,其中 GaN 驅(qū)動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成,并全部采用 650V GaN 工藝,從而實(shí)現(xiàn)許多軟開關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
  • 關(guān)鍵字: NAVITAS  NV6115  NV6117  GAN  
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nv6115介紹

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