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理想二極管控制器或 ORing 控制器柵極電壓低于預期值

  • 背景：理想二極管控制器和 ORing 控制器以三種不同的運行模式控制外部 N 溝道 MOSFET，如圖 1 所示。圖 1：理想二極管控制器 LM74700-Q1 的柵極驅(qū)動模式正常運行期間，控制器以穩(wěn)壓導通模式或完全導通模式運行。在穩(wěn)壓導通模式下，線性穩(wěn)壓方案在 MOSFET 源漏極兩端保持非常低的正向電壓。LM74700-Q1 將 MOSFET 的正向壓降調(diào)節(jié)至 20mV（典型值）。LM5050-x 和 LM5051 穩(wěn)壓正向壓降為 22mV（典型值），TPS2410/12
  • 關(guān)鍵字： TI  理想二極管  ORing   

一種基于BQ24161+TPS2419雙電池供電方案

  • 　　隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富，終端產(chǎn)品的功耗也越來越大，因此待機時間就成為產(chǎn)品的關(guān)鍵性能指標之一。由于便攜式終端設(shè)備受到體積的限制，不能簡單地通過不斷增加單節(jié)鋰電池容量來延長待機時間，因此主電池+備電池的雙電池供電方案不啻成為延長待機時間的優(yōu)選方案。本文介紹了基于充電管理芯片bq24161以及ORing控制芯片TPS2419的雙電池供電方案的設(shè)計。 　　文中分析了雙電池供電方案的設(shè)計要求，給出了設(shè)計框圖以及原理圖，在此基礎(chǔ)上分析了充電管理電路、ORing電路的具體設(shè)計方法，
  • 關(guān)鍵字： BQ24161  TPS2419  ORing  

主動“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸

  • 全功能解決方案將高速控制器和高性能MOSFET技術(shù)融合在一起，在高密度強化散熱的LGA封裝中實現(xiàn)了極低的損耗。這些解決方案與傳統(tǒng)的主動ORing技術(shù)相比節(jié)省了50％的空間。
  • 關(guān)鍵字： ORing  方案  尺寸  功率損耗    

Diodes 推出全新OR'ing 控制器

  • 　　Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應(yīng)用中，實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  ORing  控制器  
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