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應(yīng)用材料公司解決2D尺寸繼續(xù)微縮的重大技術(shù)瓶頸
- 應(yīng)用材料公司近日宣布推出一項新技術(shù),突破了晶圓代工-隨邏輯節(jié)點2D尺寸繼續(xù)微縮的關(guān)鍵瓶頸。應(yīng)用材料公司最新的選擇性鎢工藝技術(shù)為芯片制造商提供了一種構(gòu)建晶體管和其它金屬導(dǎo)線連接的新方法,這種連接作為芯片的第一級布線,起著至關(guān)重要的作用。創(chuàng)新型選擇性沉積降低了導(dǎo)線電阻,從而提升晶體管性能并降低功耗。有了這項技術(shù),晶體管及其導(dǎo)線的節(jié)點可以繼續(xù)微縮到5納米、3納米及以下,從而實現(xiàn)芯片功率、性能和面積/成本(PPAC)的同步優(yōu)化。應(yīng)用材料公司創(chuàng)新的選擇性鎢工藝技術(shù)消除了在先進晶圓代工-隨邏輯節(jié)點微縮而阻礙晶體管功率
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