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應(yīng)用材料公司拓展RFPVD技術(shù)實(shí)現(xiàn)22納米晶體管觸點(diǎn)制造

  • 　　近日，應(yīng)用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系統(tǒng)的應(yīng)用組合，實(shí)現(xiàn)了鎳鉑合金(NiPt)的沉積，將晶體管觸點(diǎn)的制造擴(kuò)展至22納米及更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。晶體管觸點(diǎn)上的高質(zhì)量鎳鉑薄膜對(duì)于器件性能非常關(guān)鍵，但是在高深寬比(HAR)的輪廓底部沉積材料是一個(gè)極大的挑戰(zhàn)。為確保觸點(diǎn)阻抗的一致性和最佳產(chǎn)品良率，Avenir系統(tǒng)為HAR深達(dá)5:1的觸孔提供了超過(guò)50%的底部覆蓋，其單片晶圓的成本比應(yīng)用材料公司之前市場(chǎng)領(lǐng)先的系統(tǒng)最多可降低30%。　
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