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意法半導體發(fā)布新抗輻射加固器件，提高航天應用能效

為了進一步擴大航天級抗輻射加固功率器件的產品組合，意法半導體近日推出了新的已通過ESCC（歐洲航天元器件協(xié)調委員會）認證的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[1]效應的肖特基整流管。新推出的?抗輻射加固肖特基二極管?包括SEB耐量高達61MeV/cm2/mg LET (線性能量傳遞)的45V和150V產品，這兩款產品是業(yè)界首款額定SEB的肖特基二極管產品，適用于多種轉換器拓撲。150V和45V產品都可以直連100V和28V衛(wèi)星電源總線。在40A/125°C時，1
關鍵字： SEB 半導體

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結構MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
關鍵字：二維數(shù)值模擬能力 SEB MOSFET 功率

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SEB是singl event burnout的縮寫，中文譯為單粒子燒毀 Single event burnout (SEB) is a condition that can cause devicedestruction due to a high current state in a power transistor. SEBcauses the device to fail perma [ 查看詳細 ]

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